二极管动态电阻的意义介绍

没什么特别的意义，设计和表征时用着方便，好记罢了。

所有器件其实都这样，先是有物理学的某种现象以及基于那个现象的理论，然后造出来器件，器件有一些曲线可以部分地描述它的一些主要特性（例如MOS管的sah方程，寄生电容的方程等），然而这些方程可能用起来很困难，因此在方程的基础上做一些简化（MOS管不同区域的I-V关系），然而在实际的工程中这些简化的方程用起来仍然很困难，于是再进行简化，就得到了像是动态电阻，gm（本征增益）这类非常理想化的参数。

基于这些过度简化过的参数，设计过程就可以简单得多，例如如果要设计一个使用MOS管的开关电源，用完整的MOS管曲线来表达在数学上是非常难处理的，但如果简化为“关断时有一个关断电阻，导通时有一个导通电阻”，分析起来就简单很多。二极管那个所谓动态电阻也是同理。

这体现了一个“抓大放小”的原则，就是尽可能忽略掉对设计目标影响不大的参数，集中精力优化对性能影响最大的几个参数。当然在现实中有些时候这些简化会完全失效，例如工作在线性和饱和区之间的MOS管，工作在极端条件下的MOS管（超低电压，窄沟道，高速），这些情况下就不能采用这些过度简化的参数进行设计了

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