电子元器件知识分析之二极管篇

整流二极管

知识介绍：一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结，有正极和负极两个端子，具有单向导电性，主要用于各种低频整流电路。

常用型号：1N5398、FR107、FR104、SB3B0、GN1M、US1K、US1M、US1J、MBR3100、FR106、IN4007、UF4007、MBR3100、1N5399、FR106、1N4007、HER107、1SR154-600TE25

整流桥

知识介绍：整流桥也叫桥堆，就是将整流管封在一个壳内，分全桥和半桥。全桥内含四个二极管，半桥内含两个二极管，用两个半桥可组成一个桥式整流电路，多用于大电流的整流。

常用型号：DB107S、GBU10M-BP、D15XB60、MB6S、D15XB80、D25SB60-T、KBJ1006、GBJ1506、GBJ1008、SR5100L、D3SB60、D25XB60、D2SB60、GBJ25J 、RS405M、TS4B05G、KBL406、KBJ2506、G5SBA80、GBJ606

开关二极管

知识介绍：开关二极管是二极管的一种，是为在电路上进行"开"、"关"而特殊设计制造的一类二极管。它由导通变为截止或由截止变为导通所需的时间比一般二极管短，主要用于电子计算机、脉冲和开关电路中。

常用型号：BAV99、1N4148W、LL34、BAV99、BAW56、1N4148、LL4148SG、PMLL4148L、BAV99、L1SS181LT1G

快恢复二极管

知识介绍：快恢复二极管（FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，其反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压（耐压值）较高。主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。

选型建议：选用时着重额定电流、反向电压和反向恢复时间。

常用型号：ES1J、US1M-13-F、UF4007-E3/73、DSEC30-06A、US1J、BYV26C、RFN2L6STE25、ER106、FFA30U60DN

肖特基二极管

知识介绍：肖特基（Schottky）二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）为正极，以N型半导体为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。是一种快恢复二极管,它属一种低功耗、超高速半导体器件。其显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，多用作高频、低压、大电流整流。

常用型号：BAT54C、SB3150、BAT54A、SS36、SS14、MBR1100、MBR3100、SB1100、ER302

稳压二极管

知识介绍：稳压二极管，又叫齐纳二极管。利用pn结反向电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，达到稳压作用的二极管。工作在反向击穿区，主要作为稳压器使用。

常用型号：1N4746A-TAP、、IN4749A、1N4756AM、BZX79-C15、SMAZ5V1-13-F、SMAZ20-13-F、TZM5246B-GS08、BZT52C15、BZT52C18、1N5408、ZMM22、ZMM5V1、LEDZ5.6BT1G、DDZ15、SMAJ4747A、BZT52C9V1、UDZVTE-1710B、KDZV18B、1N5948B、1N5240B

检波二极管

知识介绍：检波（也称解调）二极管的作用是利用其单向导电性将高频或中频无线电信号中的低频信号或音频信号取出来，它的接触面积小，不能通过大的电流，结电容也较小，频率特性好，适用于高频信号的检波。

瞬态电压抑制二极管

知识介绍：瞬态二极管（TVS），是一种二极管形式的高效能保护器件。当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能以10的负12次方秒量级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压箝位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏。

选型建议：

1.为满足IEC61000-4-2国际标准，TVS管必须达到可以处理最8kV(接触)和15kV(空气)的ESD冲击

2.最大峰值脉冲功耗PM是TVS能承受的最大峰值脉冲功耗值。另外，峰值脉冲功耗还与脉冲波形、持续时间和环境温度有关，如果电路内出现重复性脉冲，应考虑脉冲功率的累积，有可能损坏TVS。

3.VRWM应等于或略高于电路的正常工作电压，VBR不能小于电路的最大允许工作电压。

触发二极管

知识介绍：触发二极管相当于两个反方向并联的二极管，是一种双方向皆可导通的二极管。常用来触发双向可控硅 ，在电路中作过压保护等用途。

选型建议：在实际应用中，应选择转折电流Ibo小、转折电压偏差△Ub小的触发二极管

变容二极管

知识介绍：变容二极管也称为压控变容器，是根据所提供的电压变化而改变结电容的半导体，反偏电压愈大，则结电容愈小。在高频调谐、通信等电路中作可变电容器使用

选型建议：选用变容二极管时，要注意结电容和电容变化范围。使用变容二极管时，要避免变容二极管的直流控制电压与振荡电路直流供电系统之间的相互影响，通常采用电感或大电阻来作两者的隔离。另外，变容二极管的工作点要选择合适，即直流反偏压要选适当。一般要选用相对容量变化大的反向偏压小的变容二极管。

气体放电管

知识介绍：气体放电管采用陶瓷密闭封装，内部由两个或数个带间隙的金属电极，充以惰性气体（氩气或氖气）构成，电路外加电压过高时，气体击穿放电。常用于多级保护电路中的第一级或前两级，起泄放雷电暂态过电流和限制过电压作用。

选型建议：防雷电路的设计中，气体放电管的直流击穿电压、冲击击穿电压、通流容量等参数为关键因素。设置在普通交流线路上的放电管，要求它在线路正常运行电压及其允许的波动范围内不能动作，则它的直流放电电压应满足：min(ufdc)≥1.8UP。式中ufdc直流击穿电压，min(ufdc)表示直流击穿电压的最小值。UP为线路正常运行电压的峰值。

常用型号：RA-362M-V7

开关二极管、快恢复二极管、肖特基二极管、稳压二极管、瞬态电压抑制二极管

壹芯微科技针对二三极管,MOS管作出了良好的性能测试，应用各大领域，如果您有遇到什么需要帮助解决的,可以点击右边的工程师,或者点击销售经理给您精准的报价以及产品介绍