低内阻场效应管 4N10 国产MOS管替换 MOSFET应用领域

低内阻场效应管 4N10的特点：

VDS=100V

ID=3.8A

RDS(ON)＜240mΩ@VGS=10V

封装：SOT-23-3L

低内阻场效应管 4N10的应用领域：

负载开关

电池保护

不间断电源

低内阻场效应管 4N10的极限值：

(如无特殊说明，TC=25℃)

漏极-源极电压 VDS：100V

栅极-源极电压 VGS：±20V

漏极电流-连续 ID：3.5A

漏极电流-脉冲 IDM：8A

总耗散功率 PD：3.76W

存储温度 TSTG：-55~150℃

工作结温 TJ：-55~150℃

结到环境的热阻 RθJA：70℃/W

结到管壳的热阻 RθJC：30℃/W

低内阻场效应管 4N10的电特性：

(如无特殊说明，TJ=25℃)

低内阻场效应管 4N10的封装外形尺寸：

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