电力MOSFET知识的详细分析

电力MOSFET知识解析

电力MOSFET又名电力场效应晶体管分为结型和绝缘栅型，是利用电场效应来控制半导体中电流的一种半导体器件，故因此而得名。场效应管是一种电压控制器件，只依靠一种载流子参与导电，故又称为单极型晶体管。

通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide ?Semiconductor FET），简称电力MOSFET（PowerMOSFET）

结型电力场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT）。

N沟道和P沟道结型场效应管的工作原理完全相同，只是偏置电压的极性和载流子的类型不同而已。由于栅源间加反向电压，所以两侧PN结均处于反向偏置，栅源电流几乎为零。漏源之间加正向电压使N型半导体中的多数载流子-电子由源极出发，经过沟道到达漏极形成漏极电流ID。

特点——用栅极电压来控制漏极电流

驱动电路简单，需要的驱动功率小。

开关速度快，工作频率高。

热稳定性优于GTR。

电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置 。

电力MOSFET的开关速度

MOSFET的开关速度和Cin充放电有很大关系。

可降低驱动电路内阻Rs减小时间常数，加快开关速度。

不存在少子储存效应，关断过程非常迅速。

开关时间在10~100ns之间，工作频率可达100kHz以上，是主要电力电子器件中最高的。

场控器件，静态时几乎不需输入电流。但在开关过程中需对输入电容充放电，仍需一定的驱动功率。

开关频率越高，所需要的驱动功率越大。

电力MOSFET的主要参数

除跨导Gfs、开启电压UT以及td(on)、tr、td(off)和tf之外还有：

(1)漏极电压UDS——电力MOSFET电压定额

(2)漏极直流电流ID和漏极脉冲电流幅值IDM——电力MOSFET电流定额

(3)栅源电压UGS—— UGS?>20V将导致绝缘层击穿 。

(4)极间电容——极间电容CGS、CGD和CDS

特性曲线

1．输出特性曲线

输出特性曲线是栅源电压UGS取不同定值时，漏极电流ID 随漏源电压UDS 变化的一簇关系曲线，各条曲线有共同的变化规律。

UGS越负，曲线越向下移动）这是因为对于相同的UDS，UGS越负，耗尽层越宽，导电沟道越窄，ID越小。输出特性可分为三个区域即可变电阻区、恒流区和击穿区。

可变电阻区：预夹断以前的区域。其特点是，当0＜UDS＜|VP|时，ID几乎与UDS呈线性关系增长，UGS愈负，曲线上升斜率愈小。在此区域内，场效应管等效为一个受UGS控制的可变电阻。

恒流区：其特点是，当UDS＞|VP|时，ID几乎不随UDS变化，保持某一恒定值。ID的大小只受UGS的控制，两者变量之间近乎成线性关系，所以该区域又称线性放大区。

击穿区：右侧虚线以右之区域。此区域内UDS＞BUDS，管子被击穿，ID随UDS的增加而急剧增加。

2．转移特性曲线

当UDS一定时，ID与UGS之间的关系曲线称为转移特性曲线。实验表明，当UDS＞|VP|后，即恒流区内，ID受UDS影响甚小，所以转移特性通常只画一条。

在工程计算中，与恒流区相对应的转移特性可以近似地用下式表示：Id=Idss(1-Ugs/Vp)(1-Ugs/Vp)

式GS0127中VP≤UGS≤0，IDSS是UGS＝0时的漏极饱和电流。

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