FEATURES

VBO：32V and 40V

LOW BREAKOVER CURRENT

DESCRIPTION

Functioning as a trigger diode with a fixed voltage reference, the DB3/DB4 series can be used in conjunction with triacs for simplified gate control circuits or as a starting element in fluorenscent lamp ballasts.

A new surface mount version is now available in SOT-23 package, providing reduced space and compatibility with automatic pick and place equipment.

双向触发二极管DB3

工作原理：二极管、晶体二极管为一个P型和N型半导体半导体PN结的形成及其形成两边的界面空间电荷层，并建自建电场。当外加电压不存在，是由于PN结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电流所造成的，同时漂移，并在平衡状态。当外面的世界有着积极的偏压，外电场与电场的相互自我抑制的作用，在消除承运人增加，从目前的扩散正向电流。当外面世界的反向偏压，外电场和电场，以进一步加强自身建设，在某种形式的反向电压和反向偏置电压值无关的反向饱和电流i0 。当反向电压应用到一定程度， PN结的空间电荷层的临界电场强度值承运人乘法过程中，大量的电子空穴对，有相当部分的数值反向击穿电流，击穿现象被称为二极管。 该类型的二极管 有许多类型的二极管，根据半导体材料的使用，可分为锗二极管（葛管）和硅二极管（硅管） 。根据其不同用途，可分为探测器二极管，整流二极管，二极管调节器，开关二极管，隔离二极管，肖特基二极管，发光二极管等。根据该核心结构，可分为点接触二极管，接触式平面二极管和二极管。二极管是一个联络点，与一个很小的金属丝压在清洁表面上的半导体芯片，一个脉冲电流，导线接触到年底晶片牢固烧结在一起，形成一个" PN结" 。点接触，只允许通过较小的电流（不超过几十毫安） ，适用于小型高频率电流电路，如无线电探测器。接触二极管的" PN结"面积较大，允许更大的电流（几的数十个） ，它可以用来变换交流电源到直流"整治"电路。平面二极管是一个特别设计的硅二极管，它不仅可以通过更大的电流，而且性能稳定可靠，以及更多交换机，以及高频率脉冲电路。

双向触发二极管主要参数和工作原理

双向触发二极管（DIAC）属三层结构，具有对称性的二端半导体器件。常用来触发双向可控硅 ，在电路中作过压保护等用途。

图1是它的构造示意图。

图2、图3分别是它的符号及等效电路，可等效于基极开路、发射极与集电极对称的NPN型晶体管。

因此完全可用二只NPN晶体管如图4连接来替代。

双向触发二极管正、反向伏安特性几乎完全对称（见图5）。

当器件两端所加电压U低于正向转折电压V(bo)时，器件呈高阻态。当U>V(B0)时，管子击穿导通进入负阻区。

同样当U大于反向转折电压V(br)时，管子同样能进入负阻区。转折电压的对称性用△V(B)表示。

△V(b)=V(bo)-V(br)。

一般△V(B)应小于2伏。

双向触发二极管的正向转折电压值一般有三个等级：20-60V、100-150V、200-250V。

由于转折电压都大于20V，可以用万用表电阻挡正反向测双向二极管，表针均应不动（RX10k),但还不能完全确定它就是好的。

检测它的好坏，并能提供大于250V的直流电压的电源，检测时通过管子的电流不要大于是5mA。

用晶体管耐压测试器检测十分方便。

如没有，可用兆欧表按图6所示进行测量（正、反各一次），电压大的一次V(br)。

例如：

测一只DB3型二极管，第一次为27.5V，反向后再测为28V，

则△V(b)=V(bo)-V(br)=28V-27.5V=0.5V<2V，表明该管对称性很好。

图７是双向触发二极管与双向可控硅等元件构成的台灯调光电路。

通过调节电位器R2，可以改变双向可控硅的导通角，从而改变通过灯泡的电流（平均值）实现连续调光。

如果将灯泡换电熨斗、电热褥还可实现连续调温。

该电路在双向可控硅加散热器的情况下，可控负载功率可达500W，各元件参数见图所标注。

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