常用场效应管的基本参数详解

(1)场效应管的基本参数

①夹断电压UP  也称截止栅压UGS(OFF)，是在耗尽型结型场效应管或耗尽型绝缘栅型场效应管源极接地的情况下，能使其漏源

输出电流减小到零时所需的栅源电压UGS。

②开启电压UT  也称阀电压，是增强型绝缘栅型场效应管在漏源电压UDS为一定值时，能使其漏、源极开始导通的最小栅源电压UGS。

③饱和漏电流IDSS  是耗尽型场效应管在零偏压（即栅源电压UGS为零）、漏源电压UDS大于夹断电压Up时的漏极电流。

④击穿电压BUDS和BUGS

a．漏源击穿电压BUDS。也称漏源耐压值，是当场效应管的漏源电压UDS增大到一定数值时，使漏极电流ID突然增大且不受栅极电压控制时的最大漏源电压。

b．栅源击穿电压BUGS。是场效应管的栅、源极之间能承受的最大上作电压。

⑤耗散功率PD  也称漏极耗散功率，该值约等于漏源电压UDS与漏极电流ID的乘积。

⑥漏泄电流IGSS  是场效应管的栅—沟道结施加反向偏压时产生的反向电流。

⑦直流输入电阻RGS  也称栅源绝缘电阻，是场效应管栅—沟道在反偏电压作用下的电阻值，约等于栅源电压UGS与栅极电流的

比值。

⑧漏源动态电阻RDS  是漏源电压UDS的变化量与漏极电流ID的变化量之比，一般为数千欧以上。

⑨低频跨导gm  也称放大特性，是栅极电压UG对漏极电流ID的控制能力，类似于三极管的电流放大倍数β值。

⑩极间电容  是场效应管各极之间分布电容形成的杂散电容。栅源极电容（输入电容）CGS和栅漏极电容cGD的电容量为1~

3pF，漏源极电容CDS的电容量为0.1~1pF。

(2)常用场效应管的主要参数

部分结型场效应晶体管的主要参数见表3-9。部分N沟道耗尽型MOS场效应晶体管的主要参数见表3-10。部分增强型MOS场

效应晶体管的主要参数见表3-11。

场效应管工作用途

场效应管工作用途

场效应管工作用途

(1)场效应管的基本参数

①夹断电压UP  也称截止栅压UGS(OFF)，是在耗尽型结型场效应管或耗尽型绝缘栅型场效应管源极接地的情况下，能使其漏源

输出电流减小到零时所需的栅源电压UGS。

②开启电压UT  也称阀电压，是增强型绝缘栅型场效应管在漏源电压UDS为一定值时，能使其漏、源极开始导通的最小栅源电压UGS。

③饱和漏电流IDSS  是耗尽型场效应管在零偏压（即栅源电压UGS为零）、漏源电压UDS大于夹断电压Up时的漏极电流。

④击穿电压BUDS和BUGS

a．漏源击穿电压BUDS。也称漏源耐压值，是当场效应管的漏源电压UDS增大到一定数值时，使漏极电流ID突然增大且不受栅极电压控制时的最大漏源电压。

b．栅源击穿电压BUGS。是场效应管的栅、源极之间能承受的最大上作电压。

⑤耗散功率PD  也称漏极耗散功率，该值约等于漏源电压UDS与漏极电流ID的乘积。

⑥漏泄电流IGSS  是场效应管的栅—沟道结施加反向偏压时产生的反向电流。

⑦直流输入电阻RGS  也称栅源绝缘电阻，是场效应管栅—沟道在反偏电压作用下的电阻值，约等于栅源电压UGS与栅极电流的

比值。

⑧漏源动态电阻RDS  是漏源电压UDS的变化量与漏极电流ID的变化量之比，一般为数千欧以上。

⑨低频跨导gm  也称放大特性，是栅极电压UG对漏极电流ID的控制能力，类似于三极管的电流放大倍数β值。

⑩极间电容  是场效应管各极之间分布电容形成的杂散电容。栅源极电容（输入电容）CGS和栅漏极电容cGD的电容量为1~

3pF，漏源极电容CDS的电容量为0.1~1pF。

(2)常用场效应管的主要参数

部分结型场效应晶体管的主要参数见表3-9。部分N沟道耗尽型MOS场效应晶体管的主要参数见表3-10。部分增强型MOS场

效应晶体管的主要参数见表3-11。

使用场效应管时有哪些注意事项？

场效应管较三极管娇弱，使用不当很容易损坏，因此使用时应特别注意以下事项。

①应根据不同的使用场合选用适当型号的场效应管。常用场效应管的主要用途见表3-8。

②场效应管，尤其是绝缘栅场效应管，输人阻抗非常高，不用时应将各电极短接，以免栅极感应电荷而损坏管子。

③结型场效应管的栅源电压不能接反，但可在开路状态下保存。

④为了保持场效应管的高输入阻抗，管子应注意防潮，使用环境应干燥。

⑤带电物体（如电烙铁、测试仪表）与场效应管接触时，均需接地，以免损坏管子。特别是焊接绝缘栅场效应管时，还要按源极—栅极的先后次序焊接，最好断电后再焊接。电烙铁功率以15~30W为宜，一次焊接时间不应超过10s。

⑥绝缘栅场效应管切不可用万用表测试，只能用测试仪测试，而且要在接入测试仪后，才能去掉各电极短路接线。取下时，则应先短路各电极后再取下，要避免栅极悬空。

⑦使用带有衬底引线的场效应管时，其衬底引线应正确连接。

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