场效应MOS管驱动电路解析 - 壹芯微

现在的MOS驱动，有几个特别的需求

1. 低压应用

当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有4.3V。这时候，我们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存在一定的风险。

同样的问题也发生在使用3V或者其他低压电源的场合。

2. 宽电压应用

输入电压并不是一个固定值，它会随着时间或者其他因素而变动。这个变动导致PWM电路提供给MOS管的驱动电压是不稳定的。

为了让MOS管在高gate电压下安全，很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。在这种情况下，当提供的驱动电压超过稳压管的电压，就会引起较大的静态功耗。

同时，如果简单的用电阻分压的原理降低gate电压，就会出现输入电压比较高的时候，MOS管工作良好，而输入电压降低的时候gate电压不足，引起导通不够彻底，从而增加功耗。

3. 双电压应用

在一些控制电路中，逻辑部分使用典型的5V或者3.3V数字电压，而功率部分使用12V甚至更高的电压。两个电压采用共地方式连接。

这就提出一个要求，需要使用一个电路，让低压侧能够有效的控制高压侧的MOS管，同时高压侧的MOS管也同样会面对1和2中提到的问题。

在这三种情况下，图腾柱结构无法满足输出要求，而很多现成的MOS驱动IC，似乎也没有包含gate电压限制的结构。

MOS驱动有如下的特性：

1. 用低端电压和PWM驱动高端MOS管。

2. 用小幅度的PWM信号驱动高gate电压需求的MOS管。

3. gate电压的峰值限制

4. 输入和输出的电流限制

5. 通过使用合适的电阻，可以达到很低的功耗。

6. PWM信号反相。NMOS并不需要这个特性，可以通过前置一个反相器来解决。

采购优质国产二/三极管Mosfet选壹芯微(专注领域 专业品质)，国内知名功率半导体生产商，专业进口生产设备，芯片与技术源自台湾，完美替代进口品牌，页面右侧联系销售一线或工程师为您提供参数，选型，样品申请，规格书与技术支持，欢迎咨询