场效应晶体管-MOSFET类型及规格
场效应晶体管类型
有许多方法可以定义可用的不同类型的MOSFET。它们可以通过多种方式进行分类,但下面的树形图中可以介绍一些主要类型的MOSFET。
MOSFET的类型图
市场上有许多不同类型的FET,其中有各种名称。一些主要类别延迟到低于。
•结FET,JFET:结FET或JFET使用反向偏置二极管结来提供栅极连接。基本上,在沟道半导体上制造小二极管。在操作中,这是反向偏置的,这意味着它与通道有效隔离-只有二极管反向电流可以在两者之间流动。JFET是最基本的FET类型,也是最初开发的MOSFET。然而,它仍然在许多电子领域提供优质的服务。
•绝缘栅FET/金属氧化硅FETFETMOSFET:这种FET在栅极和沟道之间使用绝缘层。通常,这由半导体的氧化物层形成。名称IGFET指的是具有绝缘栅极的任何类型的FET。最常见的IGFET形式是硅MOSFET-金属氧化物硅FET。这里,栅极由设置在氧化硅上的金属层制成,该金属层又位于硅沟道上。
•双栅极MOSFET:这是一种特殊形式的MOSFET,沿沟道具有两个串联的栅极。与单栅器件相比,这使得能够进行一些显着的性能改进,特别是在RF时。第二个门在输入和输出之间提供额外的隔离,除此之外,它还可以用于混合/乘法等应用。
双栅极MOSFET
•MESFET:MEtal硅FET通常使用砷化镓制造,通常称为GaAsFET。GaAsFET通常用于RF应用,它们可以提供高增益低噪声性能。GaAsFET技术的一个缺点是非常小的栅极结构,这使得它对静电ESD的损坏非常敏感。处理这些设备时必须非常小心。
•HEMT/PHEMT:高电子迁移率晶体管和假晶高电子迁移率晶体管是基本FET概念的发展,但开发用于实现非常高频率的操作。虽然价格昂贵,但它们可以实现非常高的频率和高水平的性能。
•FinFET:FinFET技术现在正在集成电路中使用,通过允许更小的特征尺寸实现更高水平的集成。由于需要更高的密度水平并且越来越难以实现更小的特征尺寸,因此更广泛地使用FinFET技术。
•VMOS:垂直MOS的VMOS标准。它是一种使用垂直电流来改善开关和载流性能的FET。VMOSFET广泛用于电源应用。
尽管在文献中可以看到一些其他类型的场效应晶体管,但是这些类型通常是特定技术的商品名,并且它们是上面列出的一些FET类型的变体。
MOSFET规格
除了为任何给定电路选择特定类型的MOSFET之外,还必须了解不同的规范。通过这种方式,可以确保MOSFET将工作到所需的性能参数。
MOSFET规范包括从允许的最大电压和电流到电容水平和跨导的所有内容。这些都在确定任何特定MOSFET是否适合给定电路或应用中起作用。
场效应晶体管技术可以用于双极晶体管不适合的许多领域:每种都有其自身的优点和缺点,并且可以在许多电路中用于很好的效果。场效应晶体管具有非常高的输入阻抗,并且是电压驱动器件,这使其可以在许多领域中使用。
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