场效应管之栅源之间介绍

为了更好的理解，可以通俗的讲：通过电场效应原理工作的管子就叫做场效应管。说得再仔细一点，就是利用输入回路的电场效应 控制 输出回路的 一种半导体器件就叫做场效应管。

场效应管可以分为 结型 和 栅型 两种结构，接下来聊一下这两个东东。

结型场效应管又分为N沟道和P沟道，所谓的N沟道结型场效应管，实质就是在N结（N型半导体）上面做了两个P区域。如图中间的N区就像一个沟渠，两侧的P区域好像河流的两岸。

这就是N沟道结型场效应管（方便记忆）。很显然，那么P沟道j结型场效应管就是在P型半导体两侧做了俩N区域。

以N沟道结型场效应管为例，引出的电极如上图已标注，看图更容易理解一些。

如果此刻在栅-源之间加上一个负向电压，会出现一个现象如图

为什么会变成这个样子，其实在阅读过之前的文章的学友应该很清楚，为了防止过去的遗忘我们再来重新说一下PN结的那些事，进而来更好的理解当前的问题。

如果只是局部的关注栅（g）源(s)之间以及和构成的回路就可以认为是在一个PN结的两端加了一个电源 。如下图所示

栅极也就是P区，P型半导体的形成是在本征半导体钟添加了三价元素，而硅元素是四价元素，从而导致，一个“杂质”原子相比硅原子少一个核外电子。因而宏观上面，P型半导体是很缺少自由电子的，也就是空穴是他的多数载流子

源极也就是N区，同样的是在本征半导体种参入了五价元素，从而导致，N型半导体从宏观上他的多数载流子是自由电子（同理了，所以不再啰嗦）。

现在是个负电压。什么意思呢，也就是电流方向是从S（源极）指向g（栅极）的。换句话说也就是从微观上讲自由电子的运动方向是从g流向S的（电流方向和电子运动方向是相反的）。

那么问题来了g（栅极）的少数载流子是电子，明明很缺少自由电子，还要将自由电子流向S(源极)。源极的多数载流子是自由电子。这和扩散运动恰恰是相反的（浓度高的流向浓度低的区域）。从而导致在PN结之间（栅源之间）形成了一道厚厚的耗尽层如上图红蓝方框。你会发现，耗尽层中是没有小白点和小黑点的。所谓耗尽层s就是正负电子中和了，不存在任何电位差的这么一块区域。电子如果想要移动必须是需要一定的电位差或者说浓度差的（说的不够准确，明白意思即可）。很显然耗尽层是阻碍电流的，即高电阻区域。

讲了这么多，也就明白了，在N沟道结型半导体的栅源，加上负电压，进而改变电压绝对值，是可以控制输入电阻的大小的。 如下图：

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