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场效应管组成的推挽电路与工作原理介绍

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2023-08-02 浏览:-

场效应管组成的推挽电路与工作原理介绍

1、P-MOS 管和 N-MOS管组成的推挽电路

推挽电路是由两个三极管或MOSFET,以推挽方式存在于电路中,电路工作时,两只对称的开关管每次只有一个导通,所以导通损耗小、效率高、既提高电路的负载能力,又提高开关速度。

芯片的GPIO具有了“推挽输出”和“开漏输出”两种模式,现在来分析下推挽输出原理。
1.jpg

推挽电路

2、工作原理

VOUT为GPIO口的输出,当VIN为高电平时,上边的PMOS管截止,NMOS管导通,对外VOUT输出低电平

当VIN为低电平时,上边的PMOS管导通,NMOS管截止,对外VOUT输出高电平

两个MOS管只有一个导通,当引脚高低电平切换时,两个管子轮流导通,P 管负责灌电流,N 管负责拉电流,使其负载能力和开关速度都比普通的方式有很大的提高。

壹芯微科技专注于“二,三极管、MOS(场效应管)、桥堆”研发、生产与销售,21年行业经验,拥有先进全自动化双轨封装生产线、高速检测设备等,研发技术、芯片源自台湾,专业生产流程管理及工程团队,保障所生产每一批物料质量稳定和更长久的使用寿命,实现高度自动化生产,大幅降低人工成本,促进更好的性价比优势!选择壹芯微,还可为客户提供参数选型替代,送样测试,技术支持,售后服务等,如需了解更多详情或最新报价,欢迎咨询官网在线客服!

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