场效应管极性判别解析

场效应管（FET）

以其高输入电阻、低噪、热稳定、便于集成的优点在电子电路以及大电流、大电压电路中应用十分普遍；正确使用、判别场效应管的管脚、极性十分必要；

同三极管一样，要熟练判别场效应管的管脚、极性必须先了解一下其结构、原理；

场效应管的管脚有

栅极G、漏极D、源极S

三个电极（双栅极管具有四个电极）；

场效应管按结构分

结型场效应管（JFET）、绝缘栅场效应管（MOS）

，绝缘栅场效应管又分

增强型和耗尽型

；结型场效应管的

“结”

指的是

pn结

，绝缘栅场效应管的

绝缘栅

指的是栅极与源极、漏极之间有一层sio2绝缘层，它们之间没有导通连接关系。

按导电沟道性质，结型场效应管和绝缘栅场效应管又分

电子型（n）沟道、空穴型（p）沟道，

这是场效应管导电的通道；

场效应管属于

单极性晶体管

，三极管属于

双极性晶体管

，也即前者仅仅由一种载流子导电，后者是由两种载流子导电；

场效应管属于

压控型晶体管

，通过栅极与源极之间的电压的变化，来改变沟道的导电能力；三极管属于

电流控制型晶体管

，通过电流的变化改变集电极电流大小。

结型场效应管结构

结型场效应管结构、符号图

从结构上可以看出结型场效应管有以下特点：

1.漏极D和源极S之间的半导体类型是相同的，也即同是p型或n型半导体，它们之间的正反向电阻是相等的，并且阻值比较小；

2.栅极G连接半导体类型与漏极D、源极S连接的半导体类型总是不同的；

3.栅极G与漏极、源极之间有pn结，pn结的正向电阻小，反向电阻大；

结型场效应管工作原理：在栅极与源极上加上反向电压后，pn结厚度会发生变化，从而改变了导电沟道的导电能力；

绝缘栅场效应管结构：

增强型绝缘栅场效应管

耗尽型绝缘栅场效应管

绝缘栅场效应管中的寄生二极管

增强型MOS管从结构上看

1.栅极G与漏极D、源极S之间相绝缘，它们之间的电阻无限大；

2.没有外加电压时漏极与源极之间不导通；

增强型NMOS管是以P型硅片作为基片（又称衬底），漏极连接的为N半导体，衬底与源极连在一起，故P型衬底与漏极N型半导体会形成二极管，称为寄生二极管；因此漏极和源极之间的反向电阻很小。

增强型MOS管工作原理：在栅极与源极之间加上正向电压后，达到一定值后就会形成导电沟道，改变电压就改变了导电沟道的宽度和导电能力；

耗尽型MOS管从结构上看

1.栅极与漏极、源极绝缘，它们之间的电阻无限大；

2.漏极与源极之间能够导通，沟道在制造时就已形成；

在栅极与源极之间加上反向向电压后，改变电压就改变了导电沟道的宽度和导电能力；

检测方法

一、结型场效应管

结型场效应管的漏极和源极在制造工艺上是对称的，故两极可以互换，不影响正常工作；只需要判别栅极和沟道类型

将万用表拨至R×100Ω档，测量场效应管任意两个极之间的电阻，正反各一次，有以下几种情况

1.若两次测的的阻值相同或相近，则这两极是漏极D、源极S，剩下的就是栅极；然后红笔不动，黑笔接触栅极，若阻值较大则测得的为pn节反向电阻，黑笔接的是n，红笔接的是p，所以该管子为p沟道,反之就是n沟道；

2.若两次测得的是一大一小，表明其中一个就是栅极，另一个就是漏极或源极。以阻值小的那一次为准，红笔不动，黑笔接另一个极，如果阻值小，并且与黑笔换极前测得的阻值相等或相近，则红笔接的是栅极，且该管子为p沟道；如果测得的阻值与黑笔换极前测得的阻值有较大差距，则黑笔换极前接的是栅极，该管子为n沟道场效应管；

或者直接任意测量两极之间的正反向电阻，遇到第一种情况，即可判别栅极，这种比较简单。

有兴趣的朋友可以试测一下3DJ6结型场效应管，该管子为电子型导电沟道；

3DJ6结型场效应管

二、绝缘栅场效应管

NMOS增强型管

1.电极检测

正常的增强型NMOS管的栅极与漏极、源极之间均无法导通，它们的正反向电阻均无穷大，在G极无电压时，DS之间无沟道形成，但由于漏极源极之间存在一个反向寄生二极管，故漏极源极之间的反向电阻较小；

选择R×1kΩ，测量各脚之间的正反向电阻；

当出现一次阻值较小时，红笔接的是漏极，黑笔接的是源极，余下的引脚就是栅极

NMOS耗尽型管

基本过程同上，源极、漏极能够导通，但由于反向寄生二极管的存在，两次的电阻是有差异的。

有兴趣的朋友可以测试一下2N60C绝缘栅场效应管，该管子为增强型，电子型沟道。

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