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常见的贴片三极管三个饱和问题知识

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2019-03-30 浏览:-

壹芯微作为国内专业生产三极管的生产厂家,生产技术已经是非常的成熟,进口的测试仪器,可以很好的帮组到客户朋友稳定好品质,也有专业的工程师在把控稳定质量,协助客户朋友解决一直客户自身解决不了的问题,每天会分析一些知识或者客户的一些问题,来出来分享,今天我们分享的是,常见的贴片三极管三个饱和问题知识,请看下方

常见的贴片三极管三个饱和问题总结如下:

1.在实际工作中,常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值,只是使晶体管进入了初始饱和状态,实际上应该取该值的数倍以上,才能达到真正的饱和;倍数越大,饱和程度就越深;

2.集电极电阻 越大越容易饱和;

3.饱和区的现象就是:二个PN结均正偏,IC不受IB之控制;

壹芯微科技针对三极管作出了良好的性能测试,应用各大领域,如果您有遇到什么需要帮助解决的,可以点击右边的工程师,或者点击销售经理给您精准的报价以及产品介绍

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