晶体管是一种固体半导体器件(包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等，有时特指双极型器件)，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关(如Relay、switch)不同，晶体管利用电信号来控制自身的开合，所以开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。

晶体管是一种半导体器件，放大器或电控开关常用。晶体管是规范操作电脑，手机，和所有其他现代电子电路的基本构建块。由于其响应速度快，准确性高，晶体管可用于各种各样的数字和模拟功能，包括放大，开关，稳压，信号调制和振荡器。晶体管可独立包装或在一个非常小的的区域，可容纳一亿或更多的晶体管集成电路的一部分。

场效应晶体管简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管和金属 - 氧化物半导体场效应管.由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107～1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

场效应管与晶体管的比较

(1)场效应管是电压控制器件，栅极基本不取电流，而晶体管是电流控制器件，基极必须取一定电流。因此，在信号源额定电流极小的情况下，应选择场效应管。

(2)场效应晶体管是多载流子传导，晶体管的两种载流子参与传导。由于少数载流子的浓度对温度、辐射等外界条件非常敏感，因此在环境变化较大的场合使用场效应管更为合适。

(3)场效应管除了用作放大器和晶体管等可控开关外，还可用作压控可变线性电阻器。

(4)场效应管的源漏结构对称，可以互换使用。耗尽型MOS管的栅源电压可以为正也可以为负。因此，场效应管的使用比晶体管更灵活。

(5)场效应晶体管可以在非常小的电流和低电压条件下工作，其制造工艺可以很容易地将许多场效应晶体管集成在一个硅芯片上。因此，场效应晶体管用于大规模集成电路。它已被广泛使用。

场效应管的应用领域

场效应管 (fet) 是一种单极半导体器件，通过电场效应控制电流的大小。 输入端基本不取电流或取极小电流，具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单等特点，应用于大规模和超大规模 集成电路。 场效应器件具有功耗低、性能稳定、抗辐射能力强等优点，在集成电路中逐渐取代了三极管。 但它仍然非常精致。 虽然大部分都内置了保护二极管，但不注意就会损坏。 因此，最好在应用中小心谨慎。

场效应管的使用优势

场效应管是电压控制元件，晶体管是电流控制元件。 当只允许从信号源汲取较少电流时，应使用 FET; 当信号电压低并且允许从信号源汲取更多电流时，应使用晶体管。 场效应晶体管使用多数载流子导电，因此称为单极器件，而晶体管同时使用多数载流子和少数载流子导电，称为双极器件。

有些场效应管的源漏可以互换使用，栅极电压也可以正负，比三极管灵活。 场效应晶体管可以在非常小的电流和非常低的电压条件下工作，其制造工艺可以很容易地将许多场效应晶体管集成在一个硅芯片上，因此场效应晶体管被用于大规模集成电路中。 应用范围广泛。

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