CJD01N80场效应管,CJD01N80参数中文资料 - 壹芯微

型号：CJD01N80 极性：N沟道；电压：800V 电流：1A；封装：TO-252 促销价格/免费样品/选型替代/原厂直销

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CJD01N80的概述：

CJD01N80是N沟道模式功率 MOSFET，使用为客户提供平面条纹的先进技术。 这个技术专门允许最小的通态电阻和优越的开关性能。 它还可以承受高能量脉冲在雪崩和换向模式。 CJD01N80是通用的应用于高效开关电源。

CJD01N80的特性：

优秀的包装

高切换速度

100%雪崩测试

CJD01N80的应用：

电源开关应用

DC/DC 转换器

CJD01N80的绝对最大额定值（TC = 25°C，除非另有说明）：

Drain-SourceVoltage漏源电压,VDS：800 V

Gate-SourceVoltage栅源电压,VGS：±30 V

ContinuousDrainCurrent连续漏极电流,ID：1 A

PulsedDrainCurrent脉冲漏极电流,IDM：4 A

SinglePulsedAvalancheEnerg单脉冲雪崩能量(注1),EAS：90 mJ

ThermalResistanceFromJunctionToAmbient从结到环境的热阻,RθJA：100 ℃/W

JunctionTemperature结温,TJ：150 °C

StorageTemperatureRange储存温度范围,TSTG：-55~+150°C

MaximumLeadTemperatureForSolderingPurposes用于焊接目的的最高引线温度，

1/8"FromCaseFor5Seconds距离外壳1/8"5秒,TL：260°C

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壹芯微CJD01N80规格书下还有热特性，静态特性与电气参数等，建议自行阅读观看。

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