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产品名称：场效应MOS管    产品型号：BSS84   极性：P沟道

漏源电压：-50V    连续漏极电流：-130mA    封装：SOT-23等

图1）场效应管BSS84（丝印PD）封装SOT23

场效应管BSS84规格书（数据手册）下载：BSS84(SOT23).PDF

场效应管BSS84参数资料如下：

极性：PNP

漏源电压(V_DS)：-50V

栅源电压(V_GS)：±20V

漏极电流-连续(I_D)：-130mA

漏极电流-脉冲(I_D)：-520A

功耗(P_D)：300W

热阻-结到环境(R_θJA)：417°C/W

工作与贮存温度范围(T_J,T_STG)：-55 to 150 °С

图2）绝对最大额定值（除非另有说明，否则绝对最大额定值Ta=25°C

图3）电气特性（Ta=25°C，除非另有说明）

图4）场效应管BSS84（SOT-23）封装尺寸

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