半桥电路之MOS管关键参数计算知识

MOS管选型需要满足几个要求：

1.足够的漏-源电压 VDS

2.足够的漏极电流 ID

3.快速开关的能力和开通、关断延时

4.低的导通电阻Rds(on)

例：如图，假设该电路输出功率为850W，负载8Ω，MOS管如何选型？

1.Vds电压是多少？

根据P=U*U/R，得出输出的平均电压U=82V，这是平均值，需要转化成峰值电压Uo=√2*U=116V。 又因为电源利用率为85%，所以Vp=Uo/85%=136V。Vn=-136V。所以Vds要大于136*2=272V。

2.ID如何计算？

根据P=I*I*R，得出I=10.3A。

所以MOS管的选型应Vds＞272V，ID＞10.3A。

可初步选择仙童的FDAF59N30，主要指标如下

1.漏-源电压 VDS=300V

2.漏极电流 ID=34A

3.上升时间ton=140ns

4.关断时间toff=120ns

5.电阻RDS(on) = 0.056?

6.栅极电荷Q g =77nc

从上述几大指标来看，该 MOS管的工作电压、电流均满足需求，在较短的开通和关断迟时间保证了系统的稳定性。

MOS管驱动如何选择？

可以通过计算得到MOS管在一个完整开关周期内所需要的功率Pg。计算公式为：

Pg=Vgs*Qg*fsw，其中Vgs栅极驱动电压，fsw为开关频率。

FDAF59N30在栅极驱动电压为 12V，开关频率为200KHZ时的消耗功率为：

Pg=12*77*10-9*200*103 =0.1848W

驱动需要提供的平均电流为：

I= Pg/ Vgs=15.4mA。

根据经验，在保证正常工作条件下FDAF59N30的典型开通和关断时间约为200ns，因此可以反推出驱动需要提供的瞬时电流为：

Imax=Qg/t=77nc/200ns=385mA。

所以MOS管驱动需要需要提供的电流大于385mA。

因为这是高压MOS管，所以需要提供浮动栅极驱动能力。

壹芯微科技针对二三极管,MOS管作出了良好的性能测试，应用各大领域，如果您有遇到什么需要帮助解决的,可以点击右边的工程师,或者点击销售经理给您精准的报价以及产品介绍