半导体三极管的知识简介(5)
三极管知识简介(5)
光敏三极管在原理上类似于晶体管,只是它的集电结为光敏二极管结构。它的等效电路见图T313。由于基极电流可由光敏二极管提供,故一般没有基极外引线(有基极外引线的产品便于调整静态工作点)。
如在光敏三极管集电极c和发射极e之间加电压,使集电结反偏,则在无光照时,c、e 间只有漏电流ICEO,称为暗电流,大小约为0.3 μA。有光照时将产生光电流IB,同时IB被“放大”形成集电极电流IC,大小在几百微安到几毫安之间。
光敏三极管的输出特性和晶体管类似,只是用入射光的照度来代替晶体管输出特性曲线中的IB。光敏三极管制成达林顿形式时,可获得很大的输出电流而能直接驱动某些继电器。
光敏三极管的缺点是响应速度(约5 ~ 10μs)比光敏二极管(几百毫微秒)慢,转换线性差,在低照度或高照度时,光电流放大系数 值变小。
使用光敏三极管时,除了管子实际运行时的电参数不能超限外,还应考虑入射光的强度是否恰当,其光谱范围是否合适。过强的入射光将使管芯的温度上升,影响工作的稳定性,不合光谱的入射光,将得不到所希望的光电流。例如:硅光敏三极管的光谱响应范围为0.4 ~ 1.1 μm波长的光波,若用荧光灯作光源,结果就很不理想。
另外,在实际选用光敏三极管时,应注意按参数要求选择管型。如要求灵敏度高,可选用达林顿型光敏三极管;如要求响应时间快,对温度敏感性小,就不选用光敏三极管而选用光敏二极管。探测暗光一定要选择暗电流小的管子,同时可考虑有基极引出线的光敏三极管,通过偏置取得合适的工作点,提高光电流的放大系数。例如,探测10-3勒克斯的弱光,光敏三极管的暗电流必须小于0.1 nA。光敏三极管的基本应用电路见图T314,几种国产光敏三极管的参数见表B317。
壹芯微科技针对二三极管,MOS管作出了良好的性能测试,应用各大领域,如果您有遇到什么需要帮助解决的,可以点击右边的工程师,或者点击销售经理给您精准的报价以及产品介绍
工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
电话:13534146615
企业QQ:2881579535
深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号