AUIRF3205Z场效应管 中文资料 数据手册 数据表(PDF)

说明 

专为汽车应用设计，这款功率mosfet利用最新的处理技术来实现极低 的电阻每个硅面积。该设计的其他特点是175°C的结工作温度，快速切换速度 和改进

的重复雪崩等级。这些特性的结合，使该设计成为一个极其高效和可靠 的设备，用于汽车应用和各种其他应用。

绝对最大等级 

超出“绝对最大等级”所列出的压力可能会对设备造成永久性损坏。这些仅为应力等级；不暗示设备在上述或任何其他条件下的功能

操作。长时间暴露于绝对最大额定条件下可能会影响设备的可靠性。热阻和功耗等级在板安装和静止空气条件下测量。环境温度(TA) 为25°C，除非另有规定。

注：

重复性额定值；脉冲宽度受最大值的限制。连接点的温度。（详见下图所示。11)

有限公司由T提供J最大x 启动TJ =25°C，L=0.08mH，RG =25 ，I作为 =66A，Vgs值 =10V.零部件不建议在此值以上使用。

脉冲宽度 1.0ms；占空比 2%。

C无的 等等。固定电容是提供与C相同的充电时间吗无的 而V型的国防部 是从0V上升到80%V吗数据系统.

有限公司由T提供J最大值 ，详见下图。12a、12b、15、16，用于典型的重复性雪崩性能。

此值从样本失败填充中确定，开始TJ =25°C，L=0.08mH，RG =25 ，I作为 =66A，Vgs值 =10V.

这仅适用于TO-220AB软件包。

这是适用于D2 Pak，安装在1英寸方形印制电路板上（FR-4或G-10材料）。有关推荐的足迹和焊接技术，请参见应用说明#AN-994 R 是在T处测量的J 约为90°C

关于重复性雪崩曲线的注释，图15、16：

1. 雪崩故障的假设：

在温度远远超过Tjmax时，显然会出现热现象和失效。这将对每个零件类 型进行验证。

2. 只要不超过Tjmax，就允许雪崩中安全运行。

3. 以下公式基于图12a、12b所示的电路和波形。

4. PD(ave)=每单个雪崩脉冲的平均功耗。

5. BV=额定击穿电压（1.3因素解释雪崩期间的电压增加）。

6. Iav=允许的雪崩电流。

7. T=连接温度的允许升高，不超过Tjmax（在图14、15中假设为25°C）。

tav=在雪崩中的平均时间。 

D=在雪崩中的占空比=tav·f 

ZthJC（D、tav）=瞬态热阻，见图13）

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