AP02N40H-HF参数,中文资料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微
AP02N40H-HF中文参数,AP02N40H-HF封装引脚图,AP02N40H-HF数据手册,MOS管选型替代(生产厂家)
描述
AP02N40系列来自创新设计和硅工艺技术,以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。 它为设计师提供具有极其高效的设备,可用于各种功率应用程序。TO-252封装广泛适用于商业工业表面贴装应用,适用于低电压应用如DC/DC转换器。
AP02N40H-HF场效应管封装:TO-252
绝对最大额定值(TC=25°C,除非另有说明)
漏源电压(VDSS):400V
栅源电压(VGSS):±30V
雪崩电流(IAR):1A
漏极电流-连续(TJ=25°C)(ID):1.6A
漏极电流-连续(TJ=100°C)(ID):1A
漏极电流-脉冲(IDM):3A
单脉冲雪崩能量(EAS):5mJ
功耗(TC=25°C)(PD):33W
工作与贮存温度范围(TJ,TSTG):-55~150°С
热阻-结到外壳(RθJC):3.8°C/W
热阻-结到环境(RθJA):62.5°C/W
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