AO3415中文资料(贴片MOS场效应管)参数封装规格书pdf 现货厂家

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型号：AO3415；极性：P沟道；ID/VDSS：-4A/-20V；封装：SOT-23

AO3415 使用先进的沟槽技术提供出色的Rds(ON)、低栅极电荷和低至1.8V的栅极电压操作。该设备适合用作负载开关应用。

产品参数概要

· Vds：-20V

· ID(at VGS=-4.5V情况下)：-4A

· RDS(ON)(at VGS= -4.5V情况下)：<41m?

· RDS(ON)(at VGS= -2.5V情况下)：<53m?

· RDS(ON)(at VGS= -1.8V情况下)：<65m?

· ESD protected(ESD保护)

绝对最大额定参数(参数与最大值)如下

· Drain-Source Voltage（漏源电压Vds）：-20v

· Gate-Source Voltage（栅源电压Vgs）：±8v

· Continuous Drain Current（漏极电流Id 25℃）：-4A

· Continuous Drain Current（漏极电流Id 70℃）：-3.5A

· Power Dissipation（功率损耗Pd 25℃）：1.5W

· Power Dissipation（功率损耗Pd 70℃）：1W

· Junction and Storage Temperature Range（温度范围）：-55~150℃

壹芯微AO3415数据手册下还有热特性和静态特性等，建议自行阅读观看。

AO3415,SOT23数据手册(查看下载)

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