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AO3415中文资料(贴片MOS场效应管)参数封装规格书pdf 现货厂家

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2021-08-23 浏览:-

AO3415中文资料(贴片MOS场效应管)参数封装规格书pdf 现货厂家

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型号:AO3415;极性:P沟道;ID/VDSS:-4A/-20V;封装:SOT-23

AO3415 使用先进的沟槽技术提供出色的Rds(ON)、低栅极电荷和低至1.8V的栅极电压操作。该设备适合用作负载开关应用。

AO3415,SOT23封装引脚图


AO3415,SOT23封装引脚图 电路符号

产品参数概要

· Vds:-20V

· ID(at VGS=-4.5V情况下):-4A

· RDS(ON)(at VGS= -4.5V情况下):<41m?

· RDS(ON)(at VGS= -2.5V情况下):<53m?

· RDS(ON)(at VGS= -1.8V情况下):<65m?

· ESD protected(ESD保护)

AO3415参数概要

绝对最大额定参数(参数与最大值)如下

· Drain-Source Voltage(漏源电压Vds):-20v

· Gate-Source Voltage(栅源电压Vgs):±8v

· Continuous Drain Current(漏极电流Id 25℃):-4A

· Continuous Drain Current(漏极电流Id 70℃):-3.5A

· Power Dissipation(功率损耗Pd 25℃):1.5W

· Power Dissipation(功率损耗Pd 70℃):1W

· Junction and Storage Temperature Range(温度范围):-55~150℃

壹芯微AO3415数据手册下还有热特性和静态特性等,建议自行阅读观看。

AO3415,SOT23数据手册(查看下载)

AO3415绝对最大额定参数

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