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产品名称：场效应MOS管    产品型号：AO3415   极性：P沟道

漏源电压：-20V    连续漏极电流：-5A    封装：SOT-23等

图1）场效应管AO3415（丝印AFCP）封装SOT23

场效应管AO3415规格书（数据手册）下载：AO3415(SOT23).PDF

场效应管AO3415参数资料如下：

极性：PNP

漏源电压(V_DS)：-20V

栅源电压(V_GS)：±8V

漏极电流-连续(T_A=25°C)(I_D)：-5A

漏极电流-连续(T_A=70°C)(I_D)：-4A

漏极电流-脉冲(I_DM)：-30A

功耗(T_A=25°C)(P_D)：1.5W

功耗(T_A=70°C)(P_D)：1W

工作与贮存温度范围(T_J,T_STG)：-55 to 150 °С

热阻-结到环境(t≤10s)(R_θJA)：80°C/W

热阻-结到环境(稳定状态下)(R_θJA)：100°C/W

热阻-结到引线(R_θJL)：52°C/W

图2）绝对最大额定值（除非另有说明，否则绝对最大额定值Ta=25°C

图3）电气特性（Ta=25°C，除非另有说明）

图4）场效应管AO3415（SOT-23）封装尺寸

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