AO3402 SOT-23参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微
AO3402(N沟道增强型场效应晶体管)
品牌:壹芯微|类型:场效应管|封装:SOT-23|批号:21+|备注:全新国产 优质现货 质量放心 高性价比
参数\型号 | AO3402 | ||
极性 | N | ||
ID(A) | 4 | ||
VDSS(V) | 30 | ||
RDS(ON):Max(Ω) | 0.055 | ||
RDS(ON):VGS(Ω) | 10 | ||
VGS(th):(V) | 0.6~1.4 | ||
Gfs(min):(S) | 8 | ||
Gfs(min):Vgs(V) | 15 | ||
Gfs(min):Io(A) | 3.6 | ||
封装 | SOT-23 |
场效应管基础知识,有助于理解场效应管
场效应管原理、场效应管的小信号模型及其参数
场效应管是只有一种载流子参与导电的半导体器件,是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。有N沟道器件和P沟道器件。有结型场效应三极管JFET(Junction Field Effect Transister)和绝缘栅型场效应三极管IGFET( Insulated Gate Field Effect Transister) 之分。IGFET也称金属-氧化物-半导体三极管MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET)。
MOS场效应管
MOS场效应管有增强型(Enhancement MOS 或EMOS)和耗尽型(Depletion)MOS或DMOS)两大类,每一类有N沟道和P沟道两种导电类型。场效应管有三个电极:
D(Drain) 称为漏极,相当双极型三极管的集电极; G(Gate) 称为栅极,相当于双极型三极管的基极; S(Source) 称为源极,相当于双极型三极管的发射极。
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