AO3401,SOT23,P沟道MOS场效应管 参数封装引脚图 规格书PDF

AO3401是P沟道MOS场效应管(MOSFET)，AO3401使用先进的沟槽技术提供出色的Rds(ON)、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作。该器件适合用作负载开关或PWM应用。标准产品AO3401不含铅（符合ROHS和Sony259规范）。AO3401L是绿色产品订购选项。 AO3401和AO3401L在电气上是相同的。

AO3401,SOT23(P沟道增强型场效应晶体管)主要参数特性如下

· VDS(V)：-30V

· ID(VGS=-10V情况下)：-4.2A

· RDS(ON)(VGS=-10V情况下) ：<50mΩ

· RDS(ON)(VGS=-4.5V情况下)：<65mΩ

· RDS(ON)(VGS=-2.5V情况下)：<120mΩ

绝对最大额定参数(参数与最大值)如下

· Drain-Source Voltage（漏源电压Vds）：-30V

· Gate-Source Voltage（栅源电压Vgs）：±12V

· Continuous Drain Current（漏极电流Id 25℃）：-4.2A

· Continuous Drain Current （漏极电流Id 70℃）：-3.5A

· Power Dissipation（功率损耗Pd 25℃）：1.4W

· Power Dissipation（功率损耗Pd 70℃）：1W

· Junction and Storage Temperature Range（温度范围）：-55~150℃

壹芯微A03401数据手册下还有热特性和静态特性等，建议自行阅读观看。

AO3401,SOT23数据手册PDF(点击查看下载)

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