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AO3400小信号场效应晶体管 参数规格 中文资料

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2021-06-03 浏览:-

AO3400小信号场效应晶体管 参数规格 中文资料

(Transistor)

参数名称
参数值
是否Rohs认证
符合
生命周期Not Recommended
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
风险等级5.83
Samacsys Description30V N-Channel MOSFET
Samacsys ManufacturerAlpha & Omega Semiconductors
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)5.8 A
最大漏源导通电阻0.028 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON




AO3400小信号场效应晶体管 参数规格 中文资料

什么是晶体管

晶体管(transistor)是一种固体半导体器件,严格意义上讲,泛指一切以半导体材料为基础的单一原件,包括二极管三极管场效应管晶闸管等,有时特指双极型器件;具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关,能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关(如Relay、switch)不同,晶体管利用电信号来控制自身的开合,所以开关速度可以非常快,实验室中的切换速度可达100GHz以上。

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