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AO3400 N沟道场效应晶体管 30V，5.8A，SOT23（或不同封装）

AO3400(SOT-23)封装引脚图如下 (图片)

AO3400主要参数

极性：NPN

漏源电压(VDS)：30(V)

栅源电压(VGS)：±12(V)

单脉冲雪崩电流(IAS)：*(A)

漏极电流-连续(ID)：5.8(A)

漏极电流-脉冲(IDM)：30(A)

单脉冲雪崩能量(EAS)：*(mJ)

重复雪崩能量(EAR)：*(mJ)

二极管恢复峰值(dv/d)：*(V/ns)

功耗(PD)：1.4(W)

通道温度(TCH)：*(°C)

工作与贮存温度范围(TJ,TSTG)：-55~150(°С)

热阻-结到环境(RθJA)：90(°C/W)

热阻-结到外壳(RθJC)：*(°C/W)

热阻-结到引线(RθJL)：80(°C/W)

焊接的最高引线温度(TL)：*(°С)

AO3400封装尺寸

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