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7N65 TO-252/TO-220参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2021-07-12 浏览:-

7N65 TO-252/TO-220参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微

7N65(7A,650V N沟道场效应功率管)

品牌:壹芯微|类型:场效应管|封装:TO-252/TO-220|参数达标 质量稳定 免费样品 欢迎咨询


7N65场效应管主要参数
参数\型号7N65

极性N

ID(A)7

VDSS(V)650

RDS(ON):Max(Ω)1.4

RDS(ON):VGS(Ω)10

VGS(th):(V)2~4

Gfs(min):(S)6.5

Gfs(min):Vgs(V)40

Gfs(min):Io(A)3.5

封装TO-252/TO-220


概述:壹芯7N65这种先进的高压MOSFET设计用于在雪崩模式下承受高能量并有效切换。这种新型高能器件还提供漏源二极管快速恢复时间。专为高压、高速开关应用而设计,例如电源、转换器、动力电机控制和桥式电路。

特性:高额定电流下罗斯(上)低电容降低总栅极电荷更严格的 Vso 规格雪崩能量指定


7N65 TO-252/TO-220参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微

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