7N65场效应管 MOS 7N65场效应管参数规格书(PDF)

7N65场效应管,封装形式为TO252/TO220两种封装,7N65场效应管规格书,7N65场效应管引脚管脚图

壹芯微7N65完美匹配替代原型号FQP7N65场效应管参数

壹芯微7N65数据手册下还有热特性，静态特性与电气参数等，建议自行阅读观看。

7N65,TO220数据手册(查看下载)

绝对最大额定参数

· Drain-Source Voltage（漏源电压Vds）：650V

· Gate-Source Voltage（栅源电压Vgs）：±30V

· Continuous Drain Current（漏极电流Id Tc=25℃）：7A

· Continuous Drain Current（漏极电流Id Tc=100℃）：28A

· Power Dissipation（功率损耗Pd）：142W

· Junction and Storage Temperature Range（温度范围）：-55~+150℃

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