7N65场效应管参数|7N65(TO252,TO220)规格书资料|壹芯微
产品类型 场效应管 产品型号 7N65 极性 NPN
漏源电压 650V 漏极电流 7.4A 封装 TO-220,TO-220F,TO-220F1,TO-220F2,TO-220F3,TO-262,TO-263
7N65场效应管常用封装有:TO-220,TO-252
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参数资料:
7N65绝对最大额定参数:
漏源电压(VDS) 650(V)
栅源电压(VGS) ±30(V)
雪崩电流(IAR) 7.4(A)
漏极电流-连续(ID) 7.4(A)
漏极电流-脉冲(IDM) 29.6(A)
单脉冲雪崩能量(EAS) 530(mJ)
重复雪崩能量(EAR) 14.2(mJ)
二极管恢复峰值(dv/dt) 4.5(V/ns)
功耗(TO-220/TO-262/TO-263)(PD) 142(W)
功耗(TO-220F/TO-220F1/TO-220F3)(PD) 48(W)
功耗(TO-220F2)(PD) 50(W)
工作与贮存温度范围(TJ,TSTG) -55~+150(°С)
热阻-结到环境(RθJA) 62.5(°C/W)
热阻-结到外壳
(TO-220/TO-262/TO-263)(RθJC) 0.88(°C/W)
(TO-220F/TO-220F1/TO-220F3)(RθJC) 2.6(°C/W)
(TO-220F2)(RθJC) 2.5(°C/W)
焊接的最高引线温度(TL) *(°С)
7N65各种封装外形尺寸:
壹芯微科技专业生产"二极管,三极管,场效应管,桥堆",20年丰富的生产经验,品质优秀,完美替代,专业生产管理团队与工程师严格管控品质,超过4800家电路电器生产企业选用合作,价格低于同行(20%),更具性价比,提供技术支持,售后FEA,如需了解产品详情,最新报价以及样品申请,欢迎咨询官网在线客服!
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