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7N60 TO-252/TO-220参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2021-07-12 浏览:-

7N60 TO-252/TO-220参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微

7N60(7A,600V N沟道场效应晶体管)

品牌:壹芯微|类型:场效应管|封装:TO-252/TO-220|参数达标 质量稳定 免费样品 欢迎咨询


7N60场效应管主要参数
参数\型号7N60

极性N

ID(A)7

VDSS(V)600

RDS(ON):Max(Ω)1.25

RDS(ON):VGS(Ω)10

VGS(th):(V)2~4

Gfs(min):(S)6.5

Gfs(min):Vgs(V)40

Gfs(min):Io(A)3.5

封装TO-252/TO-220


描述:

壹芯7N60是一个高压功率MOSFET,是旨在具有更好的特性,例如快速切换时间,低栅极电荷、低通态电阻和高耐用性雪崩特性。该功率MOSFET通常用于开关电源中的高速开关应用和适配器。

特性:

· RDS(ON) < 1.0Ω @ VGS = 10V  · 快速切换能力  · 雪崩能量测试  · 改进的 dv/dt 能力,高耐用性


7N60 TO-252/TO-220参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微

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