7N60 TO-252/TO-220参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微
7N60(7A,600V N沟道场效应晶体管)
品牌:壹芯微|类型:场效应管|封装:TO-252/TO-220|参数达标 质量稳定 免费样品 欢迎咨询
参数\型号 | 7N60 | ||
极性 | N | ||
ID(A) | 7 | ||
VDSS(V) | 600 | ||
RDS(ON):Max(Ω) | 1.25 | ||
RDS(ON):VGS(Ω) | 10 | ||
VGS(th):(V) | 2~4 | ||
Gfs(min):(S) | 6.5 | ||
Gfs(min):Vgs(V) | 40 | ||
Gfs(min):Io(A) | 3.5 | ||
封装 | TO-252/TO-220 |
描述:
壹芯7N60是一个高压功率MOSFET,是旨在具有更好的特性,例如快速切换时间,低栅极电荷、低通态电阻和高耐用性雪崩特性。该功率MOSFET通常用于开关电源中的高速开关应用和适配器。
特性:
· RDS(ON) < 1.0Ω @ VGS = 10V · 快速切换能力 · 雪崩能量测试 · 改进的 dv/dt 能力,高耐用性
壹芯微——优质国产功率半导体品牌,主要生产各式二极管、三极管、Mos管、晶体管、桥堆等功率电子器件 产品均通过欧盟各大管理体系认证,高质量,高标准,型号齐全,研发技术与芯片源自台湾,完美替代进口品牌,页面右侧可选择销售业务或工程师立即咨询
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