7N60KL-TN3-G场效应管参数中文资料 现货替代 厂家直营 - 壹芯微

型号：7N60KL-TN3-G 极性：N沟道；电压：600V 电流：7A；封装：TO-252 促销价格/免费样品/选型替代/原厂直销

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7N60KL-TN3-G的概述：

7N60K是一种高压功率MOSFET，旨在具有更好的特性，例如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高坚固性雪崩特性。 该功率MOSFET通常用于开关电源和适配器中的高速开关应用。

7N60KL-TN3-G的特性：

* RDS(ON)<1.2Ω@VGS=10V

* 超低栅极电荷（典型值 29nC）

* 低反向传输电容（CRSS=典型值16pF）

* 快速切换能力

* 雪崩能量测试

* 改进的dv/dt能力，高耐用性

7N60KL-TN3-G的绝对最大额定值（TC = 25°C，除非另有说明）：

Drain-SourceVoltage漏源电压,V_DSS：600V

Gate-SourceVoltage栅源电压,V_GSS：±30V

AvalancheCurrent雪崩电流(注2),I_AR：7.4A

DrainCurrentContinuous漏极电流持续,I_D：7.4A

DrainCurrentPulsed漏极电流脉冲(注2),I_DM：29.6A

AvalancheEnergySinglePulsed雪崩能量单脉冲(注3),E_AS：220mJ

AvalancheEnergyRepetitive雪崩能量重复(注2),E_AR：14.2mJ

PeakDiodeRecovery二极管峰值恢复(注4),dv/dt：4.5V/ns

PowerDissipation功耗,TO-220/TO-263,P_D：142W

PowerDissipation功耗,TO-220F/TO-220F1/TO-220F3,P_D：48W

PowerDissipation功耗,TO-220F2,P_D：50W

JunctionTemperature结温,T_J：+150°C

StorageTemperature储存温度,T_STG：-55~+150°C

注意：1.绝对最大额定值是指超出该值可能会永久损坏设备的那些值。绝对最大额定值仅是应力额定值，并不暗示功能设备操作。

2.重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制

3.L=9mH，IAS=7A，VDD=90V，RG=25Ω，启动TJ=25°C

4.ISD≤7.4A，di/dt≤200A/μs，VDD≤BVDSS，起始TJ=25°C

壹芯微7N60KL-TN3-G规格书下还有热特性，静态特性与电气参数等，建议自行阅读观看。

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