6NM65L-TN3-G场效应管,6NM65L-TN3-G参数中文资料 - 壹芯微

型号：6NM65L-TN3-G 极性：N沟道；电压：600V 电流：6A；封装：TO-252 促销价格/免费样品/选型替代/原厂直销

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6NM65L-TN3-G的概述：

6NM65L-TN3-G是一款超级结型MOSFET，旨在具有更好的特性，例如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高坚固性雪崩特性。 该功率MOSFET通常用于高速开关应用，包括电源、PWM电机控制、高效DC到DC转换器和桥式电路。

6NM65L-TN3-G的特性：

RDS(ON)<1.4Ω@VGS=10V，ID=3.0A

快速切换能力

指定雪崩能量

改进的dv/dt能力，高耐用性

6NM65L-TN3-G的绝对最大额定值（TC = 25°C，除非另有说明）：

Drain-SourceVoltage漏源电压,VDSS：650V

Gate-SourceVoltage栅源电压,VGSS：±30V

DrainCurrentContinuous漏极电流连续,ID：6.0A

DrainCurrentPulsed漏极电流脉冲(注2),IDM：24A

AvalancheCurrent雪崩电流(注2),IAR：1.4A

AvalancheEnergySinglePulsed雪崩能量单脉冲(注3),EAS：141mJ

PeakDiodeRecovery峰值二极管恢复(注4),dv/dt：4.5V/ns

PowerDissipation功耗,TO-220F/TO-220F1,PD：40W

PowerDissipation功耗,TO-251/TO-251S/TO-252,PD：55W

JunctionTemperature结温,TJ：+150°С

StorageTemperature储存温度,TSTG：-55~+150°С

注意：1.绝对最大额定值是指超出该值可能会永久损坏设备的那些值。

绝对最大额定值仅是应力额定值，并不暗示功能设备操作。

2.重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制。

3.L=144mH，IAS=1.4A，VDD=50V，RG=25Ω，起始TJ=25°C

4.ISD≤6.0A，di/dt≤200A/μs，VDD≤BVDSS，起始TJ=25°C

壹芯微6NM65L-TN3-G规格书下还有热特性，静态特性与电气参数等，建议自行阅读观看。

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