6N60场效应MOS管_6N60参数代换_规格书中文资料

6N60 - 2.0A,700V N沟道超结场效应管

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6N60规格书(PDF):查看下载

2NM70的概述：

6N60是一款高压功率MOSFET，旨在具有更好的特性，例如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高坚固性雪崩特性。 该功率MOSFET通常用于开关电源和适配器中的高速开关应用。

2NM70的特性：

* RDS(ON)<1.5Ω @ VGS=10V

* 超低栅极电荷（典型值20nC）

* 低反向传输电容（CRSS=典型值10pF）

* 快速切换能力

* 雪崩能量测试

* 改进的dv/dt能力，高耐用性

6N60的绝对最大额定值（TC = 25°C，除非另有说明）：

Drain-SourceVoltage漏源电压，VDSS：600V

Gate-SourceVoltage栅源电压,VGSS：±30V

AvalancheCurrent雪崩电流(注2),IAR：6.2A

ContinuousDrainCurrent持续漏极电流,ID：6.2A

PulsedDrainCurrent脉冲漏极电流(注2),IDM：24.8A

AvalancheEnergySinglePulsed雪崩能量单脉冲(注3),EAS：440mJ

AvalancheEnergyRepetitive雪崩能量重复(注2),EAR：13mJ

PowerDissipation功耗,TO-220/TO-263,PD：125W

PowerDissipation功耗,TO-220F/TO-220F1/TO-220F3,PD：40W

PowerDissipation功耗,TO-220F2,PD：42W

PowerDissipation功耗,TO-251S,PD：55W

JunctionTemperature结温,TJ：+150°C

OperatingTemperature工作温度，TOPR：-55~+150°C

StorageTemperature储存温度,TSTG：-55~+150°C

注意： 1. 绝对最大额定值是指超出该值可能会永久损坏设备的那些值。

绝对最大额定值仅是应力额定值，并不暗示功能设备操作。

2. 重复评级：脉冲宽度受TJ限制

3. L=25mH，IAS=6A，VDD=90V，RG=25Ω，起始TJ=25°C

4. ISD≤6.2A，di/dt≤200A/μs，VDD≤BVDSS，起始TJ=25°C

壹芯微6N60规格书下还有热特性，静态特性与电气参数等，建议自行阅读观看。

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