60N03GH参数中文资料厂家直营 - 场效应MOS管 - 壹芯微

60N03GH场效应管主要参数 极性：N沟道；电压(VDSS)：30V；电流(ID)：55A；封装(Pageke)：TO-252；

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60N03绝对最大额定参数

V_DS 漏源电压 30 V

V_GS 栅源电压 ±20 V

I_D@T_C=25℃ 持续漏极电流,V_GS @ 10V 55 A

I_D@T_C=100℃ 持续漏极电流，V_GS @ 10V 35 A

I_DM 脉冲漏极电流¹ 215 A

P_D@T_C=25℃ 总功耗 62.5 W

线性降额因数 0.5W/°C

T_STG 储存温度范围 -55 至 150 °C

T_J 工作结温范围 -55 至 150 °C

壹芯微致力于半导体器件、集成电路、功率器件的研发、生产与销售，至今已有20年半导体行业研发、制造经验。目前壹芯微产品已经在便携性设备、电动车、LED照明、家电、锂电保护、电机控制器等领域获得广泛应用，帮助合作伙伴解决符合国情、符合国际质量的国内优质产品。除提供免费试样外，更可根据客户需求进行量身定制二三极管MOS管产品。直接百度搜索“壹芯微”即可找到我们，免费试样热线：13534146615(微信同号) QQ：2881579535 或请咨询官网在线客服。