5N70KL-TN3-R场效应管参数规格书 MOS管厂家直营 - 壹芯微

型号：5N70KL-TN3-R 极性：N沟道；电压：700V 电流：5A；封装：TO-252 促销价格/免费样品/选型替代/原厂直销

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5N70KL-TN3-R的概述：

7N60K是一种高压功率MOSFET，旨在具有更好的特性，例如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高坚固性雪崩特性。 该功率MOSFET通常用于开关电源和适配器中的高速开关应用。

RDS(ON) < 1.2Ω @VGS = 10V

5N70KL-TN3-R的特性：

超低栅极电荷（典型值 29 nC）

低反向传输电容（CRSS = 典型值 16pF）

快速切换能力

雪崩能量测试

改进的dv/dt能力，高耐用性

5N70KL-TN3-R的绝对最大额定值（TC = 25°C，除非另有说明）：

Drain-Source Voltage漏源电压,VDSS：600V

Gate-Source Voltage栅源电压,VGSS：±30V

Avalanche Current 雪崩电流(注2),IAR：7.4A

Drain Current  Continuous漏极电流持续,ID：7.4A

Drain Current Pulsed漏极电流脉冲(注2),IDM：29.6A

Avalanche Energy Single Pulsed雪崩能量单脉冲(注3),EAS：220mJ

Avalanche Energy Repetitive雪崩能量重复(注2),EAR：14.2mJ

Peak Diode Recovery二极管峰值恢复(注4),dv/dt：4.5V/ns

Power Dissipation功耗,TO-220/TO-263,PD：142W

Power Dissipation功耗,TO-220F/TO-220F1/TO-220F3,PD：48W

Power Dissipation功耗,TO-220F2,PD：50W

Junction Temperature结温,TJ：+150°C

Storage Temperature储存温度,TSTG：-55~+150°C

注意：1.绝对最大额定值是指超出该值可能会永久损坏设备的那些值。

绝对最大额定值仅是应力额定值,并不暗示功能设备操作。

2.重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制

3.L=9mH,IAS=7A,VDD=90V,RG=25Ω,启动TJ=25°C

4.ISD≤7.4A,di/dt≤200A/μs,VDD≤BVDSS,起始TJ=25°C

壹芯微5N70KL-TN3-R规格书下还有热特性，静态特性与电气参数等，建议自行阅读观看。

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