5N40场效应管参数代换,5N40参数规格书下载

壹芯微供应5N40系列的场效应管型号如下（尾缀不同，参数一致，主要区分材质、封装与包装方式）

5N40L-TA3-T 5N40G-TA3-T 封装形式TO-220

5N40L-TF1-T 5N40G-TF1-T 封装形式TO-220F1

5N40L-TN3-R 5N40G-TN3-R 封装形式TO-252

注：参数达标，质量稳定，更多型号请咨询官网客服

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5N40系列参数如下：

极性：NPN

Drain-SourceVoltage漏源电压,VDSS：400V

Gate-SourceVoltage栅源电压,VGSS：±30V

DrainCurrentContinuous漏极电流连续(TC=25°C),ID：5A

PowerDissipation功率损耗,TO-220,PD：69W

PowerDissipation功率损耗,TO-220F1,PD：38W

PowerDissipation功率损耗,TO-252,PD：54W

JunctionTemperature结温,TJ：+150°C

StorageTemperature储存温度,TSTG：-55~+150°C

【壹芯微】半导体功率器件制造厂商，专业研发生产与销售：二极管/三极管/MOS场效应管/桥堆等，20年生产经验，始终坚信质量就是生命，除提供免费试样外，更可根据客户需求进行量身定制产品选型，直接百度搜索“壹芯微”即可找到我们，如需咨询产品或遇到需要帮助解决的问题，欢迎咨询官网在线客服，或留言并留下联系方式，我们将为您转接销售业务或工程师为您解答。

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