50P10场效应管参数-PDF规格书下载

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50P10描述与特性

50P10是一款采用先进技术的P沟道功率MOSFET，可为客户提供高开关速度和最小导通电阻。 它还可以承受雪崩中的高能量。

* VDS=-100V

* ID=-50A

* RDS(ON)<60mΩ @ VGS=-10V, ID=-20A

* 高切换速度

50P10最大额定参数 TC=25°C，除非另有说明。

参数/符号/数值/单位

Gate-Source Voltage 栅源电压 VGSS：±20 V 

Drain Current Continuous 漏极电流连续 ID：-50 A 

Drain Current Pulsed 漏极电流脉冲 IDM：-90 A 

Power Dissipation 功率耗散 PD：225 W 

Junction Temperature 结温 TJ：+150 °C 

Storage Temperature 储存温度 TSTG：-55~+150 °C

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