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50N06 TO-220/TO-252参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2021-07-14 浏览:-

50N06 TO-220参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微

50N06(50A,60V N沟道场效应晶体管)

品牌:壹芯微|类型:场效应管|封装:TO-220,TO-252|参数达标 质量稳定 免费样品 欢迎咨询


50N06场效应管主要参数
参数\型号50N06

极性N

ID(A)50

VDSS(V)60

RDS(ON):Max(Ω)0.016

RDS(ON):VGS(Ω)10

VGS(th):(V)2~4

Gfs(min):(S)40

Gfs(min):Vgs(V)25

Gfs(min):Io(A)26.2

封装TO-220,TO-252


概述:

壹芯50N06是三端硅器件,具有电流导通能力约50A,开关速度快。低的通态电阻,击穿电压额定值为60V,最大4伏的阈值电压。主要适用于电子镇流器、小功率开关模式电力设备。


一般特征:

· RDS(ON) ≤ 23mΩ @ VGS=10V, ID=25A

· 快速切换能力

· 100% 雪崩能量指定

· 改进的 dv/dt 功能


50N06 TO-220参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微

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