50N06 TO-220参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微
50N06(50A,60V N沟道场效应晶体管)
品牌:壹芯微|类型:场效应管|封装:TO-220,TO-252|参数达标 质量稳定 免费样品 欢迎咨询
参数\型号 | 50N06 | ||
极性 | N | ||
ID(A) | 50 | ||
VDSS(V) | 60 | ||
RDS(ON):Max(Ω) | 0.016 | ||
RDS(ON):VGS(Ω) | 10 | ||
VGS(th):(V) | 2~4 | ||
Gfs(min):(S) | 40 | ||
Gfs(min):Vgs(V) | 25 | ||
Gfs(min):Io(A) | 26.2 | ||
封装 | TO-220,TO-252 |
概述:
壹芯50N06是三端硅器件,具有电流导通能力约50A,开关速度快。低的通态电阻,击穿电压额定值为60V,最大4伏的阈值电压。主要适用于电子镇流器、小功率开关模式电力设备。
一般特征:
· RDS(ON) ≤ 23mΩ @ VGS=10V, ID=25A
· 快速切换能力
· 100% 雪崩能量指定
· 改进的 dv/dt 功能
壹芯微——优质国产功率半导体品牌,主要生产各式二极管、三极管、Mos管、晶体管、桥堆等功率电子器件 产品均通过欧盟各大管理体系认证,高质量,高标准,型号齐全,研发技术与芯片源自台湾,完美替代进口品牌,页面右侧可选择销售业务或工程师立即咨询
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