4NM60AG-TN3-G场效应管参数规格书 MOS管厂家直营 - 壹芯微

型号：4NM60AG-TN3-G 极性：N沟道；电压：600V电流：4A；封装：TO-252 促销价格/免费样品/选型替代/原厂直销

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4NM60AG-TN3-G的概述：

4NM60A是一种超级结MOSFET结构，旨在具有更好的特性，例如快速切换时间、低栅极电荷、低导通电阻和高坚固性雪崩特性。 这种功率MOSFET通常用于DC-DC、AC-DC转换器的电源应用。

4NM60AG-TN3-G的特性：

RDS(ON)<1.4Ω@VGS=10V，ID=2.0A

快速切换能力

指定雪崩能量

改进的dv/dt能力，高耐用性

4NM60AG-TN3-G的绝对最大额定值（TC = 25°C，除非另有说明）：

Drain-SourceVoltage漏源电压,VDSS：600V

Gate-SourceVoltage栅源电压,VGSS：±30V

DrainCurrentContinuous漏极电流持续,ID：4.0A

DrainCurrentPulsed漏极电流脉冲(注2),IDM：16A

AvalancheCurrent雪崩电流(注2),IAR：1.3A

AvalancheEnergySinglePulsed雪崩能量单脉冲(注3),EAS：122mJ

PeakDiodeRecovery二极管峰值恢复(注4),dv/dt：4.6V/ns

PowerDissipation功耗,TO-220,PD：106W

PowerDissipation功耗,TO-220F,PD：34W

PowerDissipation功耗,TO-220F1/TO-220F2,PD：36W

PowerDissipation功耗,TO-251/TO-251S/TO-252,PD：50W

JunctionTemperature结温,TJ：+150°С

StorageTemperature储存温度,TSTG：-55~+150°С

注意： 1. 绝对最大额定值是指超出该值可能会永久损坏设备的那些值。绝对最大额定值仅是应力额定值，并不暗示功能设备操作。

2. 重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制。

3.L=144mH,IAS=1.3A,VDD=50V,RG=25Ω,起始TJ=25°C

4.ISD≤4.0A，di/dt≤200A/μs，VDD≤BVDSS，起始TJ=25°C

壹芯微4NM60AG-TN3-G规格书下还有热特性，静态特性与电气参数等，建议自行阅读观看。

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