4N65L-TN3-T场效应管参数规格书 MOS管厂家直营 - 壹芯微

4N65L-TN3-T的详细参数：

参数名称	参数值
是否Rohs认证	符合
生命周期	Active
Objectid	1052508556
零件包装代码	TO-252
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数	4
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
风险等级	5.83
雪崩能效等级（Eas）	200 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	650 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	4 A
最大漏极电流 (ID)	4 A
最大漏源导通电阻	2.5 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)	18 pF
JEDEC-95代码	TO-252
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	16 A
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
最大关闭时间（toff）	285 ns
最大开启时间（吨）	180 ns

4N65L-TN3-T的绝对最大额定值：TC = 25°C，除非另有说明：

注意：1. 绝对最大额定值是指超出该值可能会永久损坏设备的那些值。绝对最大额定值仅是应力额定值，并不暗示功能设备操作。2. 重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制。3. L = 30mH，IAS = 3.65A，VDD = 50V，RG = 25 Ω，起始 TJ = 25°C  4. ISD≤4.4A，di/dt ≤200A/μs，VDD≤BVDSS，起始TJ = 25°C

Note: 1. Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged. Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied. 2. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature. 3. L = 30mH, IAS = 3.65A, VDD = 50V, RG = 25 ?, Starting TJ = 25°C 4. ISD≤4.4A, di/dt ≤200A/μs, VDD≤BVDSS, Starting TJ = 25°C 

4N65L-TN3-T的电气特性（TC =25°С，除非另有说明）

4N65L-TN3-T的引脚说明：

4N65L-TN3-T的订购信息：