4N65G-TN3-T场效应MOS管参数 报价 原厂直销 免费样品 - 壹芯微

型号：4N65G-TN3-T 极性：N沟道；电压：650V 电流：4A；封装：TO-252 促销价格/免费样品/选型替代/原厂直销

4N65G-TN3-T参数中文资料,4N65G-TN3-T封装管脚引脚图

4N65G-TN3-T的概述：

4N65-E是一款高压功率MOSFET，其设计具有更好的特性，例如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高坚固性雪崩特性。 这种功率MOSFET通常用于高速开关应用，包括电源、PWM电机控制、高效DC到DC转换器和桥式电路。

4N65G-TN3-T的特性：

RDS(ON)<2.5Ω @VGS=10V

快速切换能力

指定雪崩能量

改进的dv/dt能力，高耐用性

4N65G-TN3-T的绝对最大额定值（TC = 25°C，除非另有说明）：

Drain-Source Voltage 漏源电压 VDSS：650 V

Gate-Source Voltage 栅源电压 VGSS：±30 V

Avalanche Current 雪崩电流（注 2） IAR：4.4 A

Drain Current Continuous 漏极电流连续 ID：4.0 A

Drain Current Pulsed 漏极电流脉冲（注 2）IDM：16 A

Avalanche Energy  Single Pulsed 雪崩能量单脉冲（注3）EAS：200 mJ

Avalanche Energy Repetitive 雪崩能量重复 (注 2) EAR：10.6 mJ

Peak Diode Recovery 峰值二极管恢复 (注 4) dv/dt：4.5 V/ns

Power Dissipation 功耗 TO-220/TO-262/TO-263 PD：106 W

Power Dissipation 功耗 TO-220F/TO-220F1/TO-220F3 PD：36 W

Power Dissipation 功耗 TO-220F2 PD：38 W

Power Dissipation 功耗 TO-251/TO-252/TO-251S PD：50 W

Power Dissipation 功耗 DFN-8(3×3) PD：30 W

Junction Temperature 结温 TJ：+150 °С

Operating Temperature 工作温度 TOPR：-55 ~ +150 °С

Storage Temperature 储存温度 TSTG：-55 ~ +150 °С

注意： 1. 绝对最大额定值是指超出该值可能会永久损坏设备的那些值。

绝对最大额定值仅是应力额定值，并不暗示功能设备操作。

2. 重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制。

3. L=30mH, IAS=3.65A, VDD=50V, RG=25?, Starting(起始)TJ=25°C 

4. ISD≤4.4A, di/dt ≤200A/μs, VDD≤BVDSS, Starting(起始)T =25°C 

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