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型号：4N60；极性：N沟道；ID/VDSS：4A/600V；封装：TO-252/TO-220

600V,N沟道增强型场效应晶体管(600V,N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor)

产品参数概要

· ID：4A

· VDSS：600V

· RDS(ON)：2.5Ω(MAX) @VGS：10V

· 低Crss（典型值8.0 pF）

快速切换，100%雪崩测试，改进的dv/dt能力

绝对最大额定参数(参数与最大值)如下

· Drain-Source Voltage（漏源电压Vds）：600V

· Gate-Source Voltage（栅源电压Vgs）：±30V

· Continuous Drain Current（漏极电流Id Tc=25℃）：2.6A

· Continuous Drain Current（漏极电流Id Tc=100℃）：1.64A

· Power Dissipation（功率损耗Pd）：36W

· Junction and Storage Temperature Range（温度范围）：-55~+150℃

壹芯微4N60数据手册下还有热特性，静态特性与电气参数等，建议自行阅读观看。

4N60,TO220数据手册(查看下载)

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