【3NM70 PDF数据手册】3NM70场效应管参数代换

3NM70 - 3.0A,700V N沟道超结场效应管

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3NM70的概述：

3NM70是一种超级结MOSFET结构，旨在具有更好的特性，例如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高坚固性雪崩特性。 该功率MOSFET通常用于电源、PWM电机控制、高效DC到DC 转换器和桥式电路中的高速开关应用。

3NM70的特性：

*RDS(ON)<2.28Ω @ VGS=10V，ID=1.5A

*低反向传输电容

*快速切换能力

*指定雪崩能量

*改进 dv/dt能力，高耐用性

3NM70的绝对最大额定值（TC = 25°C，除非另有说明）：

Drain-SourceVoltage漏源电压,V_DSS：700V

Gate-SourceVoltage栅源电压,V_GSS：±30V

ContinuousDrainCurrent持续漏极电流,I_D：3.0A

PulsedDrainCurrent脉冲漏极电流(注2),I_DM：12A

AvalancheCurrent雪崩电流(注2),I_AR：1.6A

AvalancheEnergySinglePulsed雪崩能量单脉冲(注3),E_AS：13mJ

PeakDiodeRecovery二极管峰值恢复(注4),dv/dt：5.0V/ns

PowerDissipation功耗,SOT-223,P_D：10W

PowerDissipation功耗,TO-220,P_D：78W

PowerDissipation功耗,TO-220F/TO-220F1,PD：34W

PowerDissipation功耗,TO-220F2,P_D：35W

PowerDissipation功耗,TO-251/TO-252,P_D：50W

JunctionTemperature结温,T_J：+150°C

StorageTemperature储存温度,T_STG：-55~+150°C

注意：1.绝对最大额定值是指超出该值可能会永久损坏设备的那些值。

绝对最大额定值仅是应力额定值,并不暗示功能设备操作。

2.重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制。

3.L=10mH，IAS=1.6A，VDD=50V，RG=25Ω，起始TJ=25°C

4.ISD≤3.0A，di/dt≤200A/μs，VDD≤BVDSS，起始TJ=25°C

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