3N80ZL-TN3-R场效应管参数规格书 MOS管厂家直营 - 壹芯微

型号：3N80ZL-TN3-R 极性：N沟道；电压：800V 电流：3A；封装：TO-252 促销价格/免费样品/选型替代/原厂直销

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3N80ZL-TN3-R的概述：

3N80Z 提供出色的 RDS(ON)、低栅极电荷和

以低栅极电压运行。 该设备适用于

用作负载开关或在 PWM 应用中。

3N80ZL-TN3-R的特性：

* RDS(ON)<4.2Ω @ VGS=10V, ID=1.5A

* 快速切换能力

* 指定雪崩能量

* 改进的dv/dt能力，高耐用性

3N80ZL-TN3-R的绝对最大额定值（TC = 25°C，除非另有说明）：

Drain-SourceVoltage漏源电压(VGS=0V),VDSS：800 V

Gate-SourceVoltage栅源电压,VGSS：±20 V

MinimumGate-SourceBreakdownVoltage

最小栅源击穿电压(IGS=±1mA),BVGSO：30 V

ContinuousDrainCurrent持续漏极电流,ID：3.0 A

PulsedDrainCurrent脉冲漏极电流,IDM：12 A

AvalancheCurrent雪崩电流(注2),IAR：4.0 A

SinglePulseAvalancheEnergy单脉冲雪崩能量(注3),EAS：150 mJ

PeakDiodeRecovery峰值二极管恢复(注4),dv/dt：3.1 V/ns

PowerDissipation功耗,TO-220F1 PD：25 W

PowerDissipation功耗,TO-252 PD：50 W

JunctionTemperature结温,TJ：+150 °C

StorageTemperature储存温度,TSTG：-55~+150 °C

注意： 1. 绝对最大额定值是指超出该值可能会永久损坏设备的那些值。绝对最大额定值仅是应力额定值，并不暗示功能设备操作。2. 重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制。3. L=35mH，IAS=3.0A，VDD=50V，RG=25Ω，起始TJ=25°C。

壹芯微3N80ZL-TN3-R规格书下还有热特性，静态特性与电气参数等，建议自行阅读观看。

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