3N65KL-TN3-R TO252 N沟道 高压650V 4A - 场效应MOS管 - 壹芯微

型号：3N65KL-TN3-R 极性：N沟道；电压：650V 电流：3A；封装：TO-252 促销价格/免费样品/选型替代/原厂直销

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3N65KL-TN3-R的概述：

3N65KL-TN3-R是一款高电压和大电流功率MOSFET，旨在具有更好的特性，例如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高坚固性雪崩特性。 该功率MOSFET通常用于电源、PWM电机控制、高效DC到DC转换器和桥式电路的高速开关应用。

3N65KL-TN3-R的特性：

RDS(ON)=3.8Ω @VGS=10V

超低栅极电荷（典型值 10nC）

低反向传输电容（CRSS=典型值 5.5pF）

快速切换能力

指定雪崩能量

改进的dv/dt能力，高耐用性

3N65KL-TN3-R的绝对最大额定值（TC = 25°C，除非另有说明）：

Drain-Source Voltage 漏源电压 VDSS：650 V

Gate-Source Voltage 栅源电压 VGSS：±30 V

Avalanche Current 雪崩电流（注 2） IAR：3.0 A

Continuous Drain Current 连续漏极电流 ID：3.0 A

Pulsed Drain Current 脉冲漏极电流（注 2）IDM：12 A

Power Dissipation 功耗 TO-220 PD：75 W

Power Dissipation 功耗 TO-220F/TO-220F1 PD：34 W

Power Dissipation 功耗 TO-251/TO-252 PD：50 W

Junction Temperature 结温 TJ：+150 °C

Operating Temperature 工作温度 TOPR：-55 ~ +150 °C

Storage Temperature 储存温度 TSTG：-55 ~ +150 °C

注意： 2. 绝对最大额定值是指超出该值可能会永久损坏设备的那些值。

绝对最大额定值仅是应力额定值，并不暗示功能设备操作。

  3. 重复评级：脉冲宽度受最大结温限制

  3. L=64mH，IAS=3.0A，VDD=50V，RG=25 Ω，起始 TJ=26°C

  4. ISD≤3.0A，di/dt ≤200A/μs，VDD≤BVDSS，起始 TJ=26°C

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