3N65场效应管参数资料,3N65参数手册PDF下载

3N65系列场效应管TO-252封装引脚图：

壹芯微供应3N65系列的场效应管型号如下（尾缀不同，参数一致，主要区分材质、封装与包装方式）

3N65L-TA3-T 3N65G-TA3-T 封装形式TO-220

3N65L-TF1-T 3N65G-TF1-T 封装形式TO-220F1

3N65L-TF3-T 3N65G-TF3-T 封装形式TO-220F

3N65L-TM3-T 3N65G-TM3-T 封装形式TO-251

3N65L-TMS-T 3N65G-TMS-T 封装形式TO-251S

3N65L-TMS2-T 3N65G-TMS2-T 封装形式TO-251S2

3N65L-TMS4-T 3N65G-TMS4-T 封装形式TO-251S4

3N65L-TN3-R 3N65G-TN3-R 封装形式TO-252

3N65L-T60-K 3N65G-T60-K 封装形式TO-126

3N65L-K08-5060-R 3N65G-K08-5060-R DFN5060-8

3N65.pdf 规格书查看下载

3N65系列特性参数如下：

* RDS(ON)<3.8Ω @ VGS=10V，ID=1.5A

* 快速切换能力

* 指定雪崩能量

* 改进的dv/dt能力，高耐用性

3N65系列绝对最大额定参数如下：（TC=25°C，除非另有说明）

极性：NPN

Drain-SourceVoltage漏源电压,V_DSS：650V

Gate-SourceVoltage栅源电压,V_GSS：±30V

DrainCurrentContinuous漏极电流连续,I_D：3.0A

PowerDissipation功耗,TO-220,P_D：75W

PowerDissipation功耗,TO-220F/TO-220F1,P_D：34W

PowerDissipation功耗,TO-251/TO-252/TO-251S/TO-251S2/TO-251S4,P_D：50W

PowerDissipation功耗,TO-126,P_D：17W

PowerDissipation功耗,DFN5060-8,P_D：25W

Junction Temperature结温,T_J：+150°C

OperationTemperatureAndStorageTemperature工作和储存温度,T_OPR,T_STG：-55 ~+150°C

壹芯微3N65规格书下还有热特性，静态特性与电气参数等，建议自行阅读观看。

【壹芯微】半导体功率器件制造厂商，专业研发生产与销售：二极管/三极管/MOS场效应管/桥堆等，20年生产经验，始终坚信质量就是生命，除提供免费试样外，更可根据客户需求进行量身定制产品选型，直接百度搜索“壹芯微”即可找到我们，如需咨询产品或遇到需要帮助解决的问题，欢迎咨询官网在线客服，或留言并留下联系方式，我们将为您转接销售业务或工程师为您解答。

销售业务：13534146615(黄先生)

QQ：2881579535