30N06参数,30N06 MOS管报价免费送样 - 壹芯微

30N06场效应管主要参数 极性：N沟道；电压(VDSS)：60V；电流(ID)：30A；封装(Pageke)：TO-252；

大芯片，高品质，原厂批量直销，提供技术支持，免费送样测试，替代原装进口品牌型号

绝对最大额定参数

漏源电压 VDSS：60 V

栅源电压 VGSS：±20 V

连续漏极电流 TC=25°C ID：30 A

连续漏极电流 TC=100°C ID：21.3 A

脉冲漏极电流(注 2) IDM：120 A

雪崩能量单脉冲(注 3) EAS：300 mJ

雪崩能量重复(注 2) EAR：8 mJ

功耗 TO-220 PD：79 W

功耗 TO-220F/TO-220F2/TO-220F1 PD：45 W

功耗 TO-251/TO-252 PD：46 W

结温 TJ：+150 °C

工作温度 TOPR：-55~+150 °C

储存温度 TSTG：-55~+150 °C

注意： 1. 绝对最大额定值是指超出该值可能会永久损坏设备的那些值。

绝对最大额定值仅是应力额定值，并不暗示功能设备操作。

  2. 重复率等级：脉宽受结温限制

  3. L=0.66mH, IAS=30A, VDD=25V, RG=20Ω, 启动TJ=25°C

壹芯微致力于半导体器件、集成电路、功率器件的研发、生产与销售，至今已有20年半导体行业研发、制造经验。目前壹芯微产品已经在便携性设备、电动车、LED照明、家电、锂电保护、电机控制器等领域获得广泛应用，帮助合作伙伴解决符合国情、符合国际质量的国内优质产品。除提供免费试样外，更可根据客户需求进行量身定制二三极管MOS管产品。直接百度搜索“壹芯微”即可找到我们，免费试样热线：13534146615(微信同号) QQ：2881579535 或请咨询官网在线客服。