2NM70G-TN3-R场效应管参数中文资料 现货替代 厂家直营 - 壹芯微

型号：2NM70G-TN3-R 极性：N沟道；电压：700V电流：2A；封装：TO-252 促销价格/免费样品/选型替代/原厂直销

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2NM70G-TN3-R的概述：

2NM70是一种超级结MOSFET结构，旨在具有更好的特性，例如快速切换时间、低栅极电荷、低导通电阻和高坚固性雪崩特性。 该功率MOSFET通常用于电源、PWM电机控制、高效DC到DC转换器和桥式电路中的高速开关应用。

2NM70G-TN3-R的特性：

RDS(ON)<3.0Ω@VGS=10V，ID=1.0A

快速切换能力

指定雪崩能量

改进的dv/dt能力，高耐用性

2NM70G-TN3-R的绝对最大额定值（TC = 25°C，除非另有说明）：

Drain-SourceVoltage漏源电压,VDSS：700V

Gate-SourceVoltage栅源电压,VGSS：±30V

Drain CurrentContinuous漏极电流连续,ID：2.0A

DrainCurrentPulsed脉冲漏极电流(注2),IDM：8.0A

AvalancheCurrent雪崩电流(注2),IAR：1A

AvalancheEnergySinglePulsed雪崩能量单脉冲(注3),EAS：69mJ

PeakDiodeRecovery峰值二极管恢复(注4),dv/dt：3V/ns

PowerDissipation功耗,SOT-223,PD：10W

PowerDissipation功耗,TO-220,PD：45W

PowerDissipation功耗,TO-220F/TO-220F1,PD：28W

PowerDissipation功耗,TO-220F2,PD：40W

PowerDissipation功耗,TO-251/TO-252,PD：30W

JunctionTemperature结温,TJ：+150°С

StorageTemperature储存温度,TSTG：-55~+150°С

注意：1.绝对最大额定值是指超出该值可能会永久损坏设备的那些值。

绝对最大额定值仅是应力额定值，并不暗示功能设备操作。

2.重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制。

3.L=138mH,IAS=1.0A,VDD=50V,RG=25Ω,起始TJ=25°C

4.ISD≤2.0A，di/dt≤200A/μs，VDD≤BVDSS，起始TJ=25°C

壹芯微2NM70G-TN3-R规格书下还有热特性，静态特性与电气参数等，建议自行阅读观看。

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