2N80G-TN3-R场效应管,2N80G-TN3-R参数中文资料 - 壹芯微

型号：2N80G-TN3-R 极性：N沟道；电压：800V 电流：2A；封装：TO-252 促销价格/免费样品/选型替代/原厂直销

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2N80G-TN3-R的概述：

2N80是N沟道模式功率MOSFET，采用先进技术为客户提供平面条纹和DMOS技术。 该技术专门用于实现最小的通态电阻和卓越的开关性能。 它还可以承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。2N80普遍应用于高效开关

模式电源。

2N80G-TN3-R的特性：

RDS(on)<6.3Ω @ VGS=10V, ID=1.2A

高切换速度 

2N80G-TN3-R的绝对最大额定值（TC = 25°C，除非另有说明）：

Drain-SourceVoltage漏源电压,V_DSS：800V

Gate-SourceVoltage栅源电压,V_GSS：±30V

AvalancheCurrent雪崩电流(注2),I_AR：2.4A

DrainCurrentContinuous漏极电流持续,I_D：2.4A

DrainCurrentPulsed漏极电流脉冲(注2),I_DM：9.6A

AvalancheEnergySinglePulsed雪崩能量单脉冲(注3),E_AS：180mJ

AvalancheEnergyRepetitive雪崩能量重复(注2),E_AR：8.5mJ

PeakDiodeRecovery二极管峰值恢复(注4),dv/dt：4.0V/ns

PowerDissipation功耗,TO-220,P_D：85W

PowerDissipation功耗,TO-220F/TO-220F1/TO-220F2,P_D：24W

PowerDissipation功耗,TO-251/TO-252/TO-252D,P_D：43W

JunctionTemperature结温,T_J：+150°C

StorageTemperature储存温度,T_STG：-55~+150°C

注意：1.绝对最大额定值是指超出该值可能会永久损坏设备的那些值。绝对最大额定值仅是应力额定值，并不暗示功能设备操作。

2.重复评级：脉冲宽度受最大结温限制

3.L=59mH，I_AS=2.4A，V_DD=50V，R_G=25Ω，起始T_J=25°C

4.I_SD≤2.4A，di/dt≤200A/µs，V_DD≤BV_DSS，起始T_J=25°C

壹芯微2N80G-TN3-R规格书下还有热特性，静态特性与电气参数等，建议自行阅读观看。

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