2N70KG-TN3-R场效应(MOS管)参数 报价 原厂直销 免费样品 - 壹芯微

型号：2N70KG-TN3-R 极性：N沟道；电压：700V 电流：2A；封装：TO-252 促销价格/免费样品/选型替代/原厂直销

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2N70KL-TN3-R的概述：

2N70K是一种高压MOSFET，旨在其他特性，例如快速切换时间、低栅极电荷、低导通电阻和高坚固性雪崩特性。这种功率MOSFET通常用于高速开关应用在电源、PWM电机控制、高效率直流到直流转换器和桥式电路。

2N70KL-TN3-R的特性：

* RDS(ON)<7.5Ω@VGS=10V

* 快速切换能力

* 指定雪崩能量

* 改进的dv/dt能力，高耐用性

2N70KG-TN3-R的绝对最大额定值（TC = 25°C，除非另有说明）：

Drain-SourceVoltage漏源电压,VDSS：700 V

Gate-SourceVoltage栅源电压,VGSS：±30 V

AvalancheCurrent雪崩电流(注2),IAR：2.0 A

Drain CurrentContinuous漏极电流持续,ID：2.0 A

Drain CurrentPulsed漏极电流脉冲(注2),IDM：8.0 A

AvalancheEnergySinglePulsed雪崩能量单脉冲(注3), EAS：20 mJ

AvalancheEnergyRepetitive雪崩能量重复(注2), EAR：2.8 mJ

PeakDiodeRecovery二极管峰值恢复(注4),dv/dt：4.5 V/ns

PowerDissipation功耗,TO-220F2 PD：40 W

PowerDissipation功耗,TO-252 PD：30 W

JunctionTemperature结温,TJ：+150 °С

OperatingTemperature工作温度,TOPR：-55~+150 °С

StorageTemperature储存温度,TSTG：-55~+150 °С

壹芯微2N70KG-TN3-R规格书下还有热特性，静态特性与电气参数等，建议自行阅读观看。

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