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2N7002 N沟道增强型场效应晶体管 60V,0.115A,7.5Ω,SOT23(或不同封装)
2N7002(SOT-23)封装引脚图如下 (图片)
描述
此N沟道增强模式MOSFET是使用高单元密度的沟槽MOSFET技术生产的。此产品可最大程度地降低导通电阻,同时具备强固、可靠和快速开关性能。此产品可用于最高要求400mA DC的大多数应用,可以提供高达2A的脉冲电流。这些产品尤其适合低电压、低电流应用,如小型伺服电机控制、功率MOSFET门极驱动器和其他开关应用。
特性
高密度单元设计可实现极低的RDS(ON)。
电压控制的小型信号开关。
坚固而可靠。
高饱和电流能力。
应用
该产品是一般用途,适用于许多不同的应用。小型伺服电机控制功率MOSFET栅极驱动器
2N7002主要参数
极性:NPN
漏源电压(VDS):60(V)
栅源电压(VGS):±20(V)
单脉冲雪崩电流(IAS):*(A)
漏极电流-连续(ID):115(mA)
漏极电流-脉冲(IDM):800(mA)
单脉冲雪崩能量(EAS):*(mJ)
重复雪崩能量(EAR):*(mJ)
二极管恢复峰值(dv/d):*(V/ns)
功耗(PD):200(mW)
工作与贮存温度范围(TJ,TSTG):-55~150(°С)
热阻-结到环境(RθJA):625(°C/W)
热阻-结到外壳(RθJC):*(°C/W)
焊接的最高引线温度(TL):300(°С)
2N7002封装尺寸
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